logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
Цитата
Хорошая цена Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [4H SiC ]

  совпадение  

158

  ПРОДУКТЫ
Купить тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты Производство в сети

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу Производство в сети

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого Производство в сети

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить 12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический Производство в сети

12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический

Получите самую лучшую цену
Купить 6H-N тип SiC-вафры: 2-дюймовый субстрат, толщина 350μm или 650μm Производство в сети

6H-N тип SiC-вафры: 2-дюймовый субстрат, толщина 350μm или 650μm

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства Производство в сети

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC Производство в сети Видео

Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic Производство в сети

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS Производство в сети

Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS

Получите самую лучшую цену
Купить Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC Производство в сети

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Получите самую лучшую цену
Купить Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов. Производство в сети

Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов.

Получите самую лучшую цену
Купить 3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты Производство в сети Видео

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные Производство в сети

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Получите самую лучшую цену
Купить кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Производство в сети Видео

кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC

Получите самую лучшую цену
Купить Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений Производство в сети

Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10
3 4 5 6 7 8 9 10
Хорошая цена Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ 4H SiC ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ
Купить Высококачественные подложки из карбида кремния 4H-N (12-дюймовые/300 мм) для мощных устройств Производство в сети

Высококачественные подложки из карбида кремния 4H-N (12-дюймовые/300 мм) для мощных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков) Производство в сети

Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков)

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC Производство в сети Видео

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC Производство в сети

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC) Производство в сети

Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC)

Получите самую лучшую цену
Купить кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников Производство в сети

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Получите самую лучшую цену
Купить Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD Производство в сети

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC Производство в сети

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC Производство в сети

330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD Производство в сети

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10