logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
Цитата
Хорошая цена Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [4H SiC ]

  совпадение  

158

  ПРОДУКТЫ
Купить 4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм Производство в сети

4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade Производство в сети

4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм Производство в сети

2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид семенной пластины типа 4H диа 157±0,5 мм толщина 500±50um монокристаллическая площадь >153 мм Производство в сети

Силиконовый карбид семенной пластины типа 4H диа 157±0,5 мм толщина 500±50um монокристаллическая площадь >153 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Си-Си семенной вафли 6 дюймов 8 дюймов 4H-N Тип Производственный класс Дублированный класс для роста Си-Си вафли Производство в сети

Си-Си семенной вафли 6 дюймов 8 дюймов 4H-N Тип Производственный класс Дублированный класс для роста Си-Си вафли

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC Производство в сети

подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности Производство в сети

12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности

Получите самую лучшую цену
Купить Высококачественные подложки из карбида кремния 4H-N (12-дюймовые/300 мм) для мощных устройств Производство в сети

Высококачественные подложки из карбида кремния 4H-N (12-дюймовые/300 мм) для мощных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков) Производство в сети

Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков)

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC Производство в сети Видео

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC Производство в сети

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC) Производство в сети

Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC)

Получите самую лучшую цену
Купить кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников Производство в сети

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Получите самую лучшую цену
Купить Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD Производство в сети

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. 4H SiC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ 4H SiC ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N Производство в сети Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс Производство в сети

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс Производство в сети

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс Производство в сети

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC Производство в сети

4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC

Получите самую лучшую цену
Купить CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания Производство в сети

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания

Получите самую лучшую цену
Купить 8-дюймовый Си-Си вафла Кремниевого карбида вафла Прайм Дамми Исследовательский класс 500м 350мм Производство в сети

8-дюймовый Си-Си вафла Кремниевого карбида вафла Прайм Дамми Исследовательский класс 500м 350мм

Получите самую лучшую цену
Купить ​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​ Производство в сети

​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​

Получите самую лучшую цену
Купить Премиальные субстраты 3C-SiC: пластины производственного класса N-типа для 5G и силовой электроники Производство в сети

Премиальные субстраты 3C-SiC: пластины производственного класса N-типа для 5G и силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная Производство в сети

ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная

Получите самую лучшую цену
Купить Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост Производство в сети

Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8