Ключевые слова [ silicon substrate ] совпадение 264 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

silicon substrate Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(35)

Вафля сапфира

(75)

Субстрат SiC

(139)

Сапфир оптически Виндовс

(74)

Вафля фосфида индия

(34)

Части сапфира

(74)

защитное прозрачное стекло сапфира

(28)

Синтетическая драгоценная камень

(66)

Оборудование полупроводника

(35)

Вафля LiNbO3

(16)

Вафля GaAs

(24)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(22)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Видео

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену

FP Epiwafer InP Контактный слой субстрата InGaAsP Dia 2 3 4 дюйма Для OCT 1.3um длины волны

Получите самую лучшую цену

12-дюймовый сапфирный пластинка сапфирная субстрат Al2O3 пластинка 9.0Mohs прозрачный SSP DSP C-ось

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Получите самую лучшую цену

Семенные пластинки SiC толщиной 8 дюймов 600±50um 4H типового производства для роста кристаллов карбида кремния

Получите самую лучшую цену

Видео

2 дюйма а - сопротивление радиации вафли сапфира оси для Эпи - подготавливайте тест

Получите самую лучшую цену

Дя 103мм к - размер Виндовс сапфира оси оптически одиночной отполированный стороной подгонянный

Получите самую лучшую цену

InP FP эпивафер InP субстрат n/p типа 2 3 4 дюйма толщиной 350-650um для работы оптической сети

Получите самую лучшую цену

Сапфирная кристаллизационная печь kyropoulos пенообразовательный процесс роста сапфирный кристалл 200 кг 400 кг

Получите самую лучшую цену

Видео

Оборудование для микрореактивной лазерной технологии для срезки пластинок металлическим карбидом кремния

Получите самую лучшую цену

Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

Получите самую лучшую цену

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Получите самую лучшую цену

Высокая вафля 50,8 до 300mm сапфира апертуры зазора с зазором >90%

Получите самую лучшую цену

2°Офф к - сапфир стеклянное Эпи оси синтетический - готовые субстраты диаметр 2 дюймов 50.8мм

Получите самую лучшую цену

8 9 10 11 12 13 14 15