Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
eric_wang@zmsh-materials.com 86-1580-1942596
Дом
Продукты
Вафля нитрида галлия
Вафля сапфира
Субстрат SiC
Сапфир оптически Виндовс
Вафля фосфида индия
Части сапфира
защитное прозрачное стекло сапфира
Синтетическая драгоценная камень
Оборудование полупроводника
Вафля LiNbO3
Вафля GaAs
Синтетический сапфир штанга
Кремниевая пластина ИК
Плита плавленного кварца
керамический субстрат
Оболочка лаборатории
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Свяжитесь мы
СОБЫТИЯ
Новости
Случаи
Покупки
russian
english
Français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlands
ελληνικά
日本語
한국
عربي
Türkçe
Polski
цитата
Дом
Продукты
Вафля нитрида галлия
Вафля сапфира
Субстрат SiC
Сапфир оптически Виндовс
Вафля фосфида индия
Части сапфира
защитное прозрачное стекло сапфира
Синтетическая драгоценная камень
Оборудование полупроводника
Вафля LiNbO3
Вафля GaAs
Синтетический сапфир штанга
Кремниевая пластина ИК
Плита плавленного кварца
керамический субстрат
Оболочка лаборатории
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
СОБЫТИЯ
Новости
Случаи
Покупки
Свяжитесь мы
ПРОДУКТЫ
Ключевые слова   [ silicon substrate ]  совпадение 258 ПРОДУКТЫ
Дом > ПРОДУКТЫ >

silicon substrate Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(76)

Субстрат SiC

(118)

Сапфир оптически Виндовс

(71)

Вафля фосфида индия

(35)

Части сапфира

(69)

защитное прозрачное стекло сапфира

(28)

Синтетическая драгоценная камень

(69)

Оборудование полупроводника

(30)

Вафля LiNbO3

(16)

Вафля GaAs

(25)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(21)
Контакты
Контакты: Mr. Wang
ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596
Свяжитесь сейчас
Напишите нам.
Купить 6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм Производство в сети

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты Производство в сети

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC Производство в сети

подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC Производство в сети

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC Производство в сети

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик Производство в сети

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Получите самую лучшую цену
Купить 330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC Производство в сети

330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники Производство в сети

Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные Производство в сети

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Получите самую лучшую цену
Купить 6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD Производство в сети

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства Производство в сети

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования Производство в сети

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить 2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс Производство в сети

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Получите самую лучшую цену
Купить 5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы Производство в сети

5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы

Получите самую лучшую цену
Купить Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия Производство в сети

Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия

Получите самую лучшую цену
4 5 6 7 8 9 10 11
4 5 6 7 8 9 10 11
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира

eric_wang@zmsh-materials.com 86-1580-1942596
Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
Быстрые ссылки
Направление компании Путешествие фабрики Проверка качества Новости Карта сайта Политика уединения
Качество Китая хорошее Вафля нитрида галлия Поставщик. © авторского права 2018-2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD . Все права защищены.