Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596

Дом

>

ПРОДУКТЫ >

silicon substrate Онлайн изготовитель

ВСЕ ПРОДУКТЫ

ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ

Видео Купить ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной Онлайн изготовитель

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

Купить ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная Онлайн изготовитель

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Купить материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий Онлайн изготовитель

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео Купить Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину Онлайн изготовитель

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео Купить Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора Онлайн изготовитель

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Купить Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления Онлайн изготовитель

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Купить GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма Онлайн изготовитель

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Купить Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя Онлайн изготовитель

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

silicon substrate (148) Онлайн изготовитель

Качество Электрические свойства керамической вафли субстрата Ал2О3 превосходные для механических уплотнений фабрика

Электрические свойства керамической вафли субстрата Ал2О3 превосходные для механических уплотнений

Видео Качество Al2O3 99,999% Однокристаллические 4-дюймовые SSP/DSP Dia100mm A-Plane Sapphire Wafer Substrates фабрика

Al2O3 99,999% Однокристаллические 4-дюймовые SSP/DSP Dia100mm A-Plane Sapphire Wafer Substrates

Качество 2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer полупроводниковые субстраты 350um 650um фабрика

2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer полупроводниковые субстраты 350um 650um

Качество Субстрат HVPE GaN или вафля шаблона EPI GaN для применений RF фабрика

Субстрат HVPE GaN или вафля шаблона EPI GaN для применений RF

Качество Индий фосфид Wafer InP полупроводниковые субстраты эпитаксиальный 2''3''4''Толщина 350um фабрика

Индий фосфид Wafer InP полупроводниковые субстраты эпитаксиальный 2''3''4''Толщина 350um

Качество сторона субстратов арсенида галлия вафель GaAs Dopant 2inch Si двойная отполированная для СИД фабрика

сторона субстратов арсенида галлия вафель GaAs Dopant 2inch Si двойная отполированная для СИД

Качество Кремниевая пластина IC 6 дюймов с TTV<10um фабрика

Кремниевая пластина IC 6 дюймов с TTV<10um

Качество Тип n объектива кремния Plano выпуклый ультракрасный оптически фабрика

Тип n объектива кремния Plano выпуклый ультракрасный оптически

Качество Плоский оптически Dia 10mm призмы окна Ge объектива кремния фабрика

Плоский оптически Dia 10mm призмы окна Ge объектива кремния

Качество Плоский оптически Dia 10 до 100mm призмы окна Si объектива кремния фабрика

Плоский оптически Dia 10 до 100mm призмы окна Si объектива кремния

Качество кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников фабрика

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Качество 3 кремниевая пластина дюйма Дя 76.2мм ИК, одиночная сторона отполированная кремниевая пластина фабрика

3 кремниевая пластина дюйма Дя 76.2мм ИК, одиночная сторона отполированная кремниевая пластина

Качество Отполированные керамические изделия глинозема субстрата Al2O3 SIC керамические фабрика

Отполированные керамические изделия глинозема субстрата Al2O3 SIC керамические

Качество 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы фабрика

8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

Качество GaN-НА-кремний вафли нитрида галлия 300mm для СИД силы микро- фабрика

GaN-НА-кремний вафли нитрида галлия 300mm для СИД силы микро-

2 3 4 5 6 7 8 9