Ключевые слова [ silicon substrate ] совпадение 247 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

silicon substrate Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(74)

Субстрат SiC

(117)

Сапфир оптически Виндовс

(69)

Вафля фосфида индия

(33)

Части сапфира

(67)

защитное прозрачное стекло сапфира

(27)

Вафля LiNbO3

(15)

Вафля GaAs

(25)

Синтетический сапфир штанга

(11)

Кремниевая пластина ИК

(21)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(19)

Оболочка лаборатории

(20)

Синтетическая драгоценная камень

(68)

Оборудование полупроводника

(8)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Бесцветный прозрачный кремниевый карбид SiC отполировал объектив вафли

Получите самую лучшую цену

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Получите самую лучшую цену

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,05,0 мм/10,010,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов 8 дюймов Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC

Получите самую лучшую цену

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Получите самую лучшую цену

подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC

Получите самую лучшую цену

330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

Получите самую лучшую цену

3 4 5 6 7 8 9 10