Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596

Дом

>

ПРОДУКТЫ >

silicon substrate Онлайн изготовитель

ВСЕ ПРОДУКТЫ

ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ

Видео Купить ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной Онлайн изготовитель

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

Купить ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная Онлайн изготовитель

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Купить материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий Онлайн изготовитель

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео Купить Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину Онлайн изготовитель

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео Купить Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора Онлайн изготовитель

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Купить Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления Онлайн изготовитель

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Купить GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма Онлайн изготовитель

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Купить Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя Онлайн изготовитель

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

silicon substrate (148) Онлайн изготовитель

Видео Качество 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC фабрика

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Качество Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic фабрика

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Качество ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная фабрика

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Качество 10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг фабрика

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

Качество 2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора фабрика

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Качество Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники фабрика

Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники

Качество Корозия субстрата/кремниевого карбида изготовленного на заказ размера керамическая керамическая превосходная фабрика

Корозия субстрата/кремниевого карбида изготовленного на заказ размера керамическая керамическая превосходная

Видео Качество Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический фабрика

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Видео Качество Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC фабрика

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Качество 6" высокочистый кремний 4H-Semi SIC фиктивный класс полупроводниковые пластины LED 5G D класс фабрика

6" высокочистый кремний 4H-Semi SIC фиктивный класс полупроводниковые пластины LED 5G D класс

Качество Вафля кремниевого карбида SIC Кристл фабрика

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Видео Качество субстраты Al2O3 вафли сапфира одиночного Кристл -самолета 2inch monocrystalline фабрика

субстраты Al2O3 вафли сапфира одиночного Кристл -самолета 2inch monocrystalline

Качество Подгонянный кремниевый карбид размера полируя керамическую очищенность кольца скольжения 98% фабрика

Подгонянный кремниевый карбид размера полируя керамическую очищенность кольца скольжения 98%

Качество 4" 4H-полувысокочистые SIC пластинки полупроводниковые EPI субстраты фабрика

4" 4H-полувысокочистые SIC пластинки полупроводниковые EPI субстраты

Видео Качество кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC фабрика

кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC

1 2 3 4 5 6 7 8