SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596

Дом

>

ПРОДУКТЫ >

silicon substrate Online Manufacturer

ВСЕ ПРОДУКТЫ

ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ

Видео buy ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной online manufacturer

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

buy ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная online manufacturer

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

buy материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий online manufacturer

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео buy Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину online manufacturer

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео buy Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора online manufacturer

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

buy Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления online manufacturer

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

buy GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма online manufacturer

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

buy Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя online manufacturer

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

silicon substrate (108) Online Manufacturer

качество Кремниевая пластина ИК размера Дя 50.8мм, тип материал н Си одиночного Кристл кремниевой пластины 300мм завод

Кремниевая пластина ИК размера Дя 50.8мм, тип материал н Си одиночного Кристл кремниевой пластины 300мм

качество Двойной бортовой отполированный объектив ИК подгонянный кремниевой пластиной Си для оптически объектива завод

Двойной бортовой отполированный объектив ИК подгонянный кремниевой пластиной Си для оптически объектива

качество Чернота Полысиликон 8 слитков кремния кремниевой пластины ИК дюйма для процесса полупроводника завод

Чернота Полысиликон 8 слитков кремния кремниевой пластины ИК дюйма для процесса полупроводника

качество Ранг главного оптически объектива кремниевой пластины ИК 4 дюймов для оптической электроники завод

Ранг главного оптически объектива кремниевой пластины ИК 4 дюймов для оптической электроники

качество вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF завод

вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF

качество тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента завод

тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента

качество вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC завод

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

качество Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого завод

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

качество 2 / манекен вафель Sic вафли кремниевого карбида 3/4/6/8Inch/исследование/основная ранг завод

2 / манекен вафель Sic вафли кремниевого карбида 3/4/6/8Inch/исследование/основная ранг

качество Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE завод

Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE

качество AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате диаманта завод

AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате диаманта

качество Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального завод

Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального

качество фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик завод

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

качество Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик завод

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

качество 4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности завод

4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности

1 2 3 4 5 6 7 8