Пожалуйста, оставьте свой правильный адрес электронной почты и подробные требования.

Хорошо

ПРОДУКТЫ >

silicon substrate Онлайн изготовитель

ВСЕ ПРОДУКТЫ

ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ

Видео

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

silicon substrate (180) Онлайн изготовитель

4'6' AIN на кремниевых субстратах SSP DSP полупроводниковые пластинки 100nm 200nm слой

Дефекты кремниевой пластины IC освобождают плоскостность <50um 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725mm

Кремниевая пластина IC с плоскостностью <50um отсутствие дефектов

Кремниевая пластина ИК размера Дя 50.8мм, тип материал н Си одиночного Кристл кремниевой пластины 300мм

Двойной бортовой отполированный объектив ИК подгонянный кремниевой пластиной Си для оптически объектива

Чернота Полысиликон 8 слитков кремния кремниевой пластины ИК дюйма для процесса полупроводника

Ранг главного оптически объектива кремниевой пластины ИК 4 дюймов для оптической электроники

вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF

4'' 200nm AlScN на кремниевых пластинах SSP DSP Эпитаксиальные субстраты для светодиодных устройств

субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой

2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм

Видео

Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм

тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

1 2 3 4 5 6 7 8

silicon substrate Онлайн изготовитель

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

Синтетический рубин

защитное прозрачное стекло сапфира

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Синтетический сапфир штанга

Кремниевая пластина ИК

Плита плавленного кварца

керамический субстрат

Синтетический самоцвет Кристл

Оболочка лаборатории