Результат поиска

Дом ПРОДУКТЫ silicon substrate Онлайн изготовитель

Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Свяжитесь мы

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Свяжитесь сейчас

Твой поиск

[silicon substrate ]

совпадение

358

ПРОДУКТЫ

Высокочистые полуизолирующие подложки из карбида кремния - решения для пластин разного диаметра (от 2" до 8")

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель

Получите самую лучшую цену

4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC

Получите самую лучшую цену

Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Получите самую лучшую цену

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Получите самую лучшую цену

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

Получите самую лучшую цену

6-дюймовый 8-дюймовый 4-H-SEMI SiC субстрат для оптического класса очки AR

Получите самую лучшую цену

Видео

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Получите самую лучшую цену

6" Высокочистые карбид кремния 4H-полупроводниковые пластины SIC для макетов, полупроводниковые пластины для светодиодов, 5G, AR-очков, оптического класса

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену

6-дюймовая термостойкая прозрачная монокристаллическая кварцевая подложка для SAW-устройств

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Получите самую лучшую цену

6 7 8 9 10 11 12 13

результаты поиска

Дом ПРОДУКТЫ silicon substrate Онлайн изготовитель

Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Твой поиск [ silicon substrate ] совпадение 358 ПРОДУКТЫ

Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков)

Получите самую лучшую цену

Отполированный зеркалом цилиндр сопротивления носки Al2O3 трубки кремниевого карбида керамический

Получите самую лучшую цену

Купить 12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G Производство в сети

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Получите самую лучшую цену

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,05,0 мм/10,010,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену

Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену

Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G

Получите самую лучшую цену

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену

6 7 8 9 10 11 12 13

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

[silicon substrate ]

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Бесцветная прозрачная пластина из карбида кремния SiC, полированная, линза, оптический класс, AR-покрытие (для очков)

Отполированный зеркалом цилиндр сопротивления носки Al2O3 трубки кремниевого карбида керамический

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,05,0 мм/10,010,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G