logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [silicon substrate ]

  совпадение  

384

  ПРОДУКТЫ
Купить 2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм Производство в сети

2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс Производство в сети

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC Производство в сети Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC Производство в сети

4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности Производство в сети

12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора Производство в сети

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Получите самую лучшую цену
Купить ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная Производство в сети

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Получите самую лучшую цену
Купить 10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг Производство в сети

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс Производство в сети

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый 8-дюймовый 4-H-SEMI SiC субстрат для оптического класса очки AR Производство в сети

6-дюймовый 8-дюймовый 4-H-SEMI SiC субстрат для оптического класса очки AR

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC Производство в сети Видео

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 6

6" Высокочистые карбид кремния 4H-полупроводниковые пластины SIC для макетов, полупроводниковые пластины для светодиодов, 5G, AR-очков, оптического класса

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm Производство в сети

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену
Купить ​​6-дюймовая термостойкая прозрачная монокристаллическая кварцевая подложка для SAW-устройств​​ Производство в сети

​​6-дюймовая термостойкая прозрачная монокристаллическая кварцевая подложка для SAW-устройств​​

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовая 300-мм 4H-N 6H-N пластина из карбида кремния (SiC) монокристаллического кремния для силовых приборов и светодиодов Производство в сети

12-дюймовая 300-мм 4H-N 6H-N пластина из карбида кремния (SiC) монокристаллического кремния для силовых приборов и светодиодов

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS Производство в сети

Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS

Получите самую лучшую цену
7 8 9 10 11 12 13 14
7 8 9 10 11 12 13 14
Хорошая цена Силиконовый карбид 4 дюймовый диаметр x 350um 4H-N тип P/R/D класс MOSEFTs/SBD/JBS онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ silicon substrate ]  совпадение 384 ПРОДУКТЫ
Купить фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик Производство в сети

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу Производство в сети

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс Производство в сети

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма 12 дюйма Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств Производство в сети

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить ​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​ Производство в сети

​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм Производство в сети

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства Производство в сети

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 5x5 мм 10x10 мм 4H-SiC Подложки 3C-N Тип MOS Grade Производство в сети

2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 5x5 мм 10x10 мм 4H-SiC Подложки 3C-N Тип MOS Grade

Получите самую лучшую цену
7 8 9 10 11 12 13 14