Кремниевая пластина IC с плоскостностью <50um отсутствие дефектов

Характер продукции:

Наши высококачественные кремниевые пластины IC сделаны из главного материала кремния и доступны в вафлях 6 дюймов, 4 дюймов, 6 дюймов и 8 дюймов SOI. Поверхность этих кремниевых пластин IC свободна от всех дефектов и рядов резистивности от 1 до 10 омов. Кроме того, плотность частицы на поверхности этих кремниевых пластин SOI чем 30 в cm2 и искривление чем 20um. Наши кремниевые пластины IC широко использованы в продукции полупроводников и интегральных схема.

Особенности:

• Название продукта: Кремниевая пластина IC
• Dopant: P типа /N-type
• Дефекты: Никакие
• Искривление:<20um>
• Плоскостность:<50um>
• TTV:<10um>
• Размер: кремниевые пластины 4 дюймов
• Покрытие: Вафли PECVD SIO2, вафля покрытия Si3Nx

Технические параметры:

Применения:

Кремниевая пластина IC ZMSH высокопроизводительная вафля с ультратонкой и высокопроизводительной поверхностью. Весьма соответствующее для производства полупроводника IC, обеспечивающ надежный субстрат для изготовления интегральных схема. Модель Silicon004 имеет толщину 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725 и количество минимального заказа 25PC. Аттестация ROHS доступна и каждая одиночная вафля проходила строгую проверку качества со значением TTV чем 10um. Она доступна в размерах 4inch, 6inch, и 8inch, и 3 ориентациях (100), (110), (111). Поверхность можно подгонять с покрытием SiO2. Цена случаем и срок поставки в пределах 30days. Условия оплаты T/T и способность поставки 2000PC/months.

Кремниевая пластина IC ZMSH идеальный выбор для производства полупроводника IC, со своей ультратонкой и высокопроизводительной поверхностью. Это идеальный субстрат для вафель 4inch, 6inch, и 8inch SOI, и свое покрытие SiO2 обеспечивает надежную и прочную поверхность. Все кремниевые пластины IC stringently испытаны, без дефектов и значения TTV чем 10um. Это идеальный выбор для любого ища ультратонкая, высокопроизводительная вафля для производства полупроводника IC.

Изготовление на заказ:

вопросы и ответы: