logo
Хорошая цена  онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [silicon substrate ]

  совпадение  

358

  ПРОДУКТЫ
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена ​​Силиконовые стеклянные подложки из содово-известкового стекла, индивидуальные размеры/формы​​ онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ silicon substrate ]  совпадение 358 ПРОДУКТЫ

4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения

Получите самую лучшую цену

4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса

Получите самую лучшую цену

4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Получите самую лучшую цену

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевой карбидный субстрат 4H 6H 3C Тип поддержки

Получите самую лучшую цену

8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену

4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид 4H P-Type Zero MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N Производство в сети Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8