logo
Хорошая цена  онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [silicon substrate ]

  совпадение  

381

  ПРОДУКТЫ
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ silicon substrate ]  совпадение 381 ПРОДУКТЫ

Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um

Получите самую лучшую цену
Купить 4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина Производство в сети Видео

4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина

Получите самую лучшую цену

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Получите самую лучшую цену

12 дюймовый 300 мм Силиконовый карбидный пластинка 4H-N тип Dummy Prime исследовательский класс Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену

Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE

Получите самую лучшую цену

AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате диаманта

Получите самую лучшую цену

Сик Силиконовый карбид Полупроводниковые устройства Многокристаллические формы 4H 6H 3C Заказный размер 5G коммуникационные чипы

Получите самую лучшую цену

Высокочистая керамическая изоляционная подложка из SiC, устойчивая к высоким температурам

Получите самую лучшую цену

Кремниевая пластина Кремний на изоляторе Кремниевый полупроводник Микроэлектронная промышленность Многомерность

Получите самую лучшую цену

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети Видео

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8