Детали продукта
Место происхождения: КНР
Фирменное наименование: zmsh
Номер модели: Чипы из карбида кремния
Условия оплаты и доставки
Время доставки: 2-4 недели
Условия оплаты: T/T
Материал: |
Силиконовый карбид |
Размер: |
Настраиваемый |
Толщина: |
на заказ |
Тип: |
4H,6H,3C |
Применение: |
Электрические транспортные средства связи 5G |
Материал: |
Силиконовый карбид |
Размер: |
Настраиваемый |
Толщина: |
на заказ |
Тип: |
4H,6H,3C |
Применение: |
Электрические транспортные средства связи 5G |
Недвижимость | 4H-SiC, однокристаллический | 6H-SiC, однокристаллический |
Параметры решетки | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Последовательность складирования | ABCB | ABCACB |
Твердость Моха | ≈9.2 | ≈9.2 |
Плотность | 30,21 г/см3 | 30,21 г/см3 |
Коэффициент расширения | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Индекс преломления @750nm |
нет = 2.61 ne = 2.66 |
нет = 2.60 ne = 2.65 |
Диэлектрическая постоянная | c~9.66 | c~9.66 |
Теплопроводность (N-тип, 0,02 ом. см) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K c ~ 3,7 W/cm·K@298K |
|
Теплопроводность (полуизоляция) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
Пробелы между полосками | 3.23 eV | 30,02 eV |
Электрическое поле срыва | 3-5×106В/см | 3-5×106В/см |
Скорость дрейфа насыщения | 2.0×105 м/с | 2.0×105 м/с |