- константа решетки больше, чем у кремния, что способствует построению гетероструктур.

- Высокая мобильность электронов, примерно в 3 раза превышающая мобильность кремния, способствует изготовлению высокоскоростных электронных устройств.

- Небольшая ширина диапазона (0,67 eV) делает его подходящим для инфракрасного фотоэлектрического обнаружения и эмиссии.

Он более чувствителен к излучению и подходит для радиочувствительного электронного оборудования.

Технология обработки относительно сложная, а стоимость высокая.

Технические параметры

1Высокочастотная аналоговая и радиочастотная электроника: микроволновые диоды, транзисторы, интегральные схемы; электронное оборудование в микроволновом диапазоне частот, такое как радар и связи.

2Инфракрасное фотоэлектрическое обнаружение и излучение: инфракрасный детектор, теплоизолятор; инфракрасные излучающие диоды, лазерные диоды.

3Радиационночувствительные электронные устройства: соединенные полупроводниковые гетероструктуры: аэрокосмическая авиационная система; атомные электростанции и электронное оборудование в военной области.

4. Соединенные полупроводниковые гетероструктуры: материалы для субстрата III-V соединений, таких как GaAs, InP и т.д.; гетерогенные структуры солнечных элементов, лазерных диодов и т.д.

Наши услуги

1Производство и продажа на заводе.

2Быстрые, точные цитаты.

3Мы ответим вам в течение 24 рабочих часов.

4. ODM: индивидуальный дизайн доступен.

5Скорость и ценная доставка.

Частые вопросы