Детали продукта
Place of Origin: China
Фирменное наименование: ZMSH
Model Number: N-GaAs Substrate
Условия оплаты и доставки
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Материал: |
Арсенид галлия |
Размер: |
2 дюйма |
Толщина: |
430мм |
ориентация: |
<111> <110> |
Тип: |
тип n |
Режим полости Единообразие: |
≤ 1% |
Материал: |
Арсенид галлия |
Размер: |
2 дюйма |
Толщина: |
430мм |
ориентация: |
<111> <110> |
Тип: |
тип n |
Режим полости Единообразие: |
≤ 1% |
2-дюймовый N-Галлий арсенид субстрат, N-GaAs VCSEL эпитаксиальная пластина, полупроводниковая эпитаксиальная пластина, 2-дюймовый N-GaAs субстрат, GaAs однокристаллическая пластина 2-дюймовые 3-дюймовые 4-дюймовые N-GaAs субстрат,полупроводниковые пластинки, N-галлиевый арсенид лазерный эпитаксиальный пластинка
Характеристики субстрата N-GaAs
- использовать для изготовления субстраты ГаА
- поддерживать индивидуальные с дизайном рисунков
- прямой пробел, эффективно излучает свет, используется в лазерах.
- в диапазоне длин волн от 0,7 мкм до 0,9 мкм, квантовые скважины
- с использованием таких методов, как MOCVD или MBE, гравирование, металлизация и упаковка для достижения конечной формы устройства
ОписаниеСубстрат N-GaAs
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
Субстрат N-GaAs состоит из галлия (Ga) и мышьяка (As) и использует технологию допинга n-типа для увеличения концентрации свободных электронов,тем самым улучшая проводимость и мобильность электронов.
Этот материал имеет энергетическую полосу пропускания около 1,42 eV, что подходит для лазерного излучения и имеет отличные оптоэлектронные свойства.
Структура VCSEL обычно включает в себя несколько квантовых скважин и слоев рефлекторов, которые выращиваются на субстрате N-GaAs для формирования эффективной лазерной полости.
Квантовый слой скважины отвечает за возбуждение и излучение лазеров, в то время как рефлектор повышает эффективность выхода лазера.
Отличная тепловая стабильность и электрические свойства субстрата N-GaAs обеспечивают высокую производительность и стабильность VCSEL, что позволяет ему хорошо работать при высокоскоростной передаче данных.
VCSEL на основе N-GaAs-субстратов широко используются в таких областях, как оптическая волоконная связь, лазерные принтеры и датчики.
Его высокая эффективность и низкое потребление энергии делают его важной частью современных коммуникационных технологий.
В связи с растущим спросом на высокоскоростную передачу данных технология VCSEL на основе N-GaAs постепенно становится важным направлением для развития оптоэлектроники.содействие прогрессу и инновациям различных приложений.
Подробная информация о субстрате N-GaAs
| Параметр | VCSEL |
| ставка | 25G/50G |
| длина волны | 850 нм |
| Размер | 4 дюйма / 6 дюймов |
| Режим полости Толерантность | В пределах ± 3% |
| Режим полости Единообразие | ≤ 1% |
| Уровень допинга Толерантность | В пределах ± 30% |
| Уровень допинга Единообразие | ≤ 10% |
| PL Однородность длины волны | СД.Дев лучше, чем 2 нм @ внутренний 140 мм |
| Однородность толщины | Лучше, чем ± 3% @внутренняя часть 140 мм |
| Молевая доля x Толерантность | В пределах ±0.03 |
| Молевая доля x Единообразие | ≤ 0.03 |
Еще несколько образцов субстрата N-GaAs
* Если у вас есть индивидуальные требования, пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами.
Рекомендации по аналогичным продуктам
1.2" S Допированный полупроводниковый GaP EPI Wafer N Type P Type 250um 300um светоизлучающие диоды
2.2" 3" FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Сухой влажный окислительный слой 100nm 300nm
Частые вопросы
1. Вопрос: Что насчет стоимости N-GaAs субстратов по сравнению с другимисубстраты?
А:Субстраты N-GaAsкак правило, дороже, чем кремнийсубстратыи некоторые другие полупроводниковые материалы.
2Вопрос: Что насчет будущих перспективСубстраты N-GaAs?
A: Будущие перспективыСубстраты N-GaAsОни весьма перспективны.
Tags:
Видео
