![]() |
Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства2025-02-21 16:42:38 |
![]() |
6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD2023-07-19 17:30:27 |
![]() |
5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы2022-06-23 10:12:24 |
![]() |
Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия2022-08-02 11:43:29 |
![]() |
GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма2023-07-13 14:46:03 |