logo
Хорошая цена  онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [silicon carbide substrate ]

  совпадение  

243

  ПРОДУКТЫ

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Получите самую лучшую цену
7 8 9 10 11 12 13 14
7 8 9 10 11 12 13 14
Хорошая цена Электрод CVD SiC для плазменной гравировки и полупроводниковых камер онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ silicon carbide substrate ]  совпадение 243 ПРОДУКТЫ

Высокочистая керамическая изоляционная подложка из SiC, устойчивая к высоким температурам

Получите самую лучшую цену

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену

Прозрачное 10x15mm субстрат GaO окиси галлия 001 ориентации для применения СИД

Получите самую лучшую цену
Купить 3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты Производство в сети Видео

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Получите самую лучшую цену

​​Силиконовые стеклянные подложки из содово-известкового стекла, индивидуальные размеры/формы​​

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Получите самую лучшую цену

2 дюймовые 4 дюймовые 6 дюймовые модели сапфирового субстрата PSS для светодиодов светодиодов

Получите самую лучшую цену
Купить Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники Производство в сети Видео

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену

Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального

Получите самую лучшую цену

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену

Субстрат Sic С 9,7 диэлектрической 4,9 W/mK термальной проводимостью постоянного

Получите самую лучшую цену
7 8 9 10 11 12 13 14