logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [silicon carbide substrate ]

  совпадение  

243

  ПРОДУКТЫ
Купить Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD Производство в сети

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить Сик кристаллическая печь PVT LPE HT-CVD высококачественный сик однокристаллический метод роста Производство в сети

Сик кристаллическая печь PVT LPE HT-CVD высококачественный сик однокристаллический метод роста

Получите самую лучшую цену
Купить CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания Производство в сети

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания

Получите самую лучшую цену
Купить Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов. Производство в сети

Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов.

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить Сапфировая кристаллическая печь CZ метод Czochralski печь производит высококачественные кристаллы сапфира Производство в сети

Сапфировая кристаллическая печь CZ метод Czochralski печь производит высококачественные кристаллы сапфира

Получите самую лучшую цену
Купить GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций Производство в сети

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовая кремниево-карбидная эпитаксиальная пластина типа 4H-N диаметром 50,8 мм для высокотемпературных датчиков Производство в сети

2-дюймовая кремниево-карбидная эпитаксиальная пластина типа 4H-N диаметром 50,8 мм для высокотемпературных датчиков

Получите самую лучшую цену
Купить Высокоточное оборудование для односторонней полировки Si-пластин/SiC/сапфировых материалов Производство в сети Видео

Высокоточное оборудование для односторонней полировки Si-пластин/SiC/сапфировых материалов

Получите самую лучшую цену
Купить Многопроводная бриллиантовая пилорезательная машина для SiC/сапфира/ультражестких хрупких материалов Производство в сети Видео

Многопроводная бриллиантовая пилорезательная машина для SiC/сапфира/ультражестких хрупких материалов

Получите самую лучшую цену
Купить Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов Производство в сети

Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G Производство в сети

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить Керамическое оборудование для резки однопроводной/многопроводной алмазной проволоки Производство в сети

Керамическое оборудование для резки однопроводной/многопроводной алмазной проволоки

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок Производство в сети

Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок

Получите самую лучшую цену
Купить Система разжигания вафелей Точное оборудование для разжигания вафелей SiC Si Совместимое 4 -12 дюймовое емкость вафелей Производство в сети Видео

Система разжигания вафелей Точное оборудование для разжигания вафелей SiC Si Совместимое 4 -12 дюймовое емкость вафелей

Получите самую лучшую цену
9 10 11 12 13 14 15 16
9 10 11 12 13 14 15 16
Хорошая цена Система разжигания вафелей Точное оборудование для разжигания вафелей SiC Si Совместимое 4 -12 дюймовое емкость вафелей онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. silicon carbide substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ silicon carbide substrate ]  совпадение 243 ПРОДУКТЫ
Купить 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов SICOI пластина 4H-SiC на изоляторе 100–150 мм пленка SiC НА кремнии Производство в сети

4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов SICOI пластина 4H-SiC на изоляторе 100–150 мм пленка SiC НА кремнии

Получите самую лучшую цену
Купить Премиальные субстраты 3C-SiC: пластины производственного класса N-типа для 5G и силовой электроники Производство в сети

Премиальные субстраты 3C-SiC: пластины производственного класса N-типа для 5G и силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности Производство в сети

12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности

Получите самую лучшую цену
Купить Семенные пластинки SiC толщиной 8 дюймов 600±50um 4H типового производства для роста кристаллов карбида кремния Производство в сети

Семенные пластинки SiC толщиной 8 дюймов 600±50um 4H типового производства для роста кристаллов карбида кремния

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств Производство в сети

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг Производство в сети

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс Производство в сети

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6H-N тип SiC-вафры: 2-дюймовый субстрат, толщина 350μm или 650μm Производство в сети

6H-N тип SiC-вафры: 2-дюймовый субстрат, толщина 350μm или 650μm

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюймовые Си-вофли Диа 100 мм Толщина 350um Ориентация <100> DSP SSP Настраиваемые Кремниевые вафли N типа P типа Производство в сети

4 дюймовые Си-вофли Диа 100 мм Толщина 350um Ориентация <100> DSP SSP Настраиваемые Кремниевые вафли N типа P типа

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​ Производство в сети

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Получите самую лучшую цену
Купить Заказные 4-дюймовые (100 мм) Кремниевые пластинки: толщина 350μm, <100> ориентация, DSP/SSP, N-тип/P-тип допинг Производство в сети

Заказные 4-дюймовые (100 мм) Кремниевые пластинки: толщина 350μm, <100> ориентация, DSP/SSP, N-тип/P-тип допинг

Получите самую лучшую цену
Купить Фиктивная толщина вафли Dia150mm 4H-N 500mm субстрата ранга 6Inch Sic Производство в сети

Фиктивная толщина вафли Dia150mm 4H-N 500mm субстрата ранга 6Inch Sic

Получите самую лучшую цену
10 11 12 13 14 15 16 17