logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [sic substrate ]

  совпадение  

296

  ПРОДУКТЫ
Купить основные 2

основные 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N изолируя вафлю sic кремниевого карбида субстрата Sic

Получите самую лучшую цену
Купить Электрод CVD SiC для плазменной гравировки и полупроводниковых камер Производство в сети

Электрод CVD SiC для плазменной гравировки и полупроводниковых камер

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия Производство в сети

2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном Производство в сети

Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс Производство в сети

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир Производство в сети

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм Производство в сети

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства Производство в сети

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic Производство в сети

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Инготы 6 дюймов Инготы 4H-N SiC Прайм-класс Думий-класс Силиконовый карбид Инготы высокой твердости Инготы Производство в сети

SiC Инготы 6 дюймов Инготы 4H-N SiC Прайм-класс Думий-класс Силиконовый карбид Инготы высокой твердости Инготы

Получите самую лучшую цену
Купить 12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G Производство в сети

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch Производство в сети

вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch

Получите самую лучшую цену
Купить Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um Производство в сети

Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9
2 3 4 5 6 7 8 9
Хорошая цена Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ sic substrate ]  совпадение 296 ПРОДУКТЫ
Купить Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик Производство в сети

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Получите самую лучшую цену
Купить вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC Производство в сети

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное Производство в сети

Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное

Получите самую лучшую цену
Купить тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента Производство в сети

тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента

Получите самую лучшую цену
Купить 4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники Производство в сети Видео

4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить HPSI высокочистые полуизоляционные пластинки SiC 2

HPSI высокочистые полуизоляционные пластинки SiC 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого Производство в сети

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным Производство в сети Видео

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Получите самую лучшую цену
Купить 4

4" 4H-полувысокая чистота SIC пластинки Prime Grade Полупроводники EPI субстраты AR Очки оптического класса

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm Производство в сети Видео

подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm

Получите самую лучшую цену
Купить 4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS Производство в сети

4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS

Получите самую лучшую цену
Купить Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS Производство в сети Видео

Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9