Ключевые слова [ sic substrate ] совпадение 212 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

sic substrate Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(89)

Субстрат SiC

(128)

Сапфир оптически Виндовс

(76)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Части сапфира

(84)

защитное прозрачное стекло сапфира

(30)

Синтетическая драгоценная камень

(74)

Оборудование полупроводника

(37)

Вафля LiNbO3

(18)

Вафля GaAs

(25)

Вафля фосфида индия

(34)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Плита плавленного кварца

(37)

керамический субстрат

(25)

Оболочка лаборатории

(25)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components

Получите самую лучшую цену

2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм

Получите самую лучшую цену

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания

Получите самую лучшую цену

Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC

Получите самую лучшую цену

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену

12 дюймовый 300 мм Силиконовый карбидный пластинка 4H-N тип Dummy Prime исследовательский класс Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену

Сик кристаллическая печь PVT LPE HT-CVD высококачественный сик однокристаллический метод роста

Получите самую лучшую цену

Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Получите самую лучшую цену

Видео

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Получите самую лучшую цену

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремниевого карбида ранга 6инч

Получите самую лучшую цену

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Получите самую лучшую цену

Отполированные керамические изделия глинозема субстрата Al2O3 SIC керамические

Получите самую лучшую цену

2 3 4 5 6 7 8 9