logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [sic substrate ]

  совпадение  

274

  ПРОДУКТЫ
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic Производство в сети

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Получите самую лучшую цену
Купить 12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G Производство в сети

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу Производство в сети

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену
Купить вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch Производство в сети

вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch

Получите самую лучшую цену
Купить Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um Производство в сети

Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um

Получите самую лучшую цену
Купить Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств Производство в сети

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень Производство в сети

Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники Производство в сети

Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств Производство в сети

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Сик оптическая линза 10x10x10ммт 4H-SEMI HPSI форма и размер на заказ 6SP Толщина 10.05 Производство в сети

Сик оптическая линза 10x10x10ммт 4H-SEMI HPSI форма и размер на заказ 6SP Толщина 10.05

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс Производство в сети

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс Производство в сети

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G Производство в сети

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9
2 3 4 5 6 7 8 9
Хорошая цена 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Твой поиск  [ sic substrate ]  совпадение 274 ПРОДУКТЫ
Купить 4

4" 4H-полувысокая чистота SIC пластинки Prime Grade Полупроводники EPI субстраты AR Очки оптического класса

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm Производство в сети Видео

подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm

Получите самую лучшую цену
Купить Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS Производство в сети Видео

Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS

Получите самую лучшую цену
Купить 4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS Производство в сети

4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS

Получите самую лучшую цену
Купить Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость Производство в сети Видео

Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств Производство в сети

6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост Производство в сети

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Получите самую лучшую цену
Купить ‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌ Производство в сети

‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌

Получите самую лучшую цену
Купить вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Производство в сети Видео

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Получите самую лучшую цену
Купить Керамические подшипниковые шары SiC G5 высокая твердость Производство в сети

Керамические подшипниковые шары SiC G5 высокая твердость

Получите самую лучшую цену
Купить основные 2

основные 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N изолируя вафлю sic кремниевого карбида субстрата Sic

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном Производство в сети

Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9