logo
Хорошая цена  Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [sic substrate ]

  совпадение  

160

  ПРОДУКТЫ
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ sic substrate ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Получите самую лучшую цену
Купить 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC Производство в сети Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Промышленные подложки из карбида кремния (SiC) 6H для высокотемпературной, ультрафиолетовой и прецизионной электроники Производство в сети Видео

Промышленные подложки из карбида кремния (SiC) 6H для высокотемпературной, ультрафиолетовой и прецизионной электроники

Получите самую лучшую цену

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Получите самую лучшую цену

5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы

Получите самую лучшую цену
Купить Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC Производство в сети Видео

Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC

Получите самую лучшую цену

Фиктивная толщина вафли Dia150mm 4H-N 500mm субстрата ранга 6Inch Sic

Получите самую лучшую цену

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC Производство в сети Видео

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Получите самую лучшую цену

12-дюймовый 300 мм 4H-N SiC субстрат для производства полупроводников мощности

Получите самую лучшую цену

Премиальные 12-дюймовые (300 мм) решения для подложки карбида кремния (SiC)

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8