Ключевые слова [ sic wafer ] совпадение 222 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

sic wafer Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(89)

Субстрат SiC

(128)

Сапфир оптически Виндовс

(76)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Части сапфира

(84)

защитное прозрачное стекло сапфира

(30)

Синтетическая драгоценная камень

(74)

Оборудование полупроводника

(37)

Вафля LiNbO3

(18)

Вафля GaAs

(25)

Вафля фосфида индия

(34)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Плита плавленного кварца

(37)

керамический субстрат

(25)

Оболочка лаборатории

(25)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену

Видео

4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина

Получите самую лучшую цену

Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Получите самую лучшую цену

3 дюйма HPSI Силиконовый карбид SiC Толщина субстрата 500um Первый класс Думаки класс Исследовательский класс Прозрачный

Получите самую лучшую цену

Машина для резки алмазной проволоки

Получите самую лучшую цену

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Тип Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену

Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов.

Получите самую лучшую цену

SiC Инготы 6 дюймов Инготы 4H-N SiC Прайм-класс Думий-класс Силиконовый карбид Инготы высокой твердости Инготы

Получите самую лучшую цену

12-дюймовый сапфирный пластинка сапфирная субстрат Al2O3 пластинка 9.0Mohs прозрачный SSP DSP C-ось

Получите самую лучшую цену

4 дюймовые Си-вофли Диа 100 мм Толщина 350um Ориентация <100> DSP SSP Настраиваемые Кремниевые вафли N типа P типа

Получите самую лучшую цену

1 2 3 4 5 6 7 8