Ключевые слова [ sic wafer ] совпадение 222 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

sic wafer Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(89)

Субстрат SiC

(128)

Сапфир оптически Виндовс

(76)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Части сапфира

(84)

защитное прозрачное стекло сапфира

(30)

Синтетическая драгоценная камень

(74)

Оборудование полупроводника

(37)

Вафля LiNbO3

(18)

Вафля GaAs

(25)

Вафля фосфида индия

(34)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Плита плавленного кварца

(37)

керамический субстрат

(25)

Оболочка лаборатории

(25)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Видео

кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC

Получите самую лучшую цену

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену

Сик Силиконовый карбид вафель 55 мм/1010 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники

Получите самую лучшую цену

6" высокочистый кремний 4H-Semi SIC фиктивный класс полупроводниковые пластины LED 5G D класс

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену

55 мм/1010 мм Силиконовый карбид толщина вафли 350μm Sic 3C-N тип высокая механическая прочность

Получите самую лучшую цену

вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид 6 дюймов Сик однокристаллический 150 мм диаметр 3C-N тип костюм для радиолокационных систем связи

Получите самую лучшую цену

4 дюймовые га-н-на-си пластинки галлиевого нитрида пластинки эпи-пластинки 6 дюймовые 8 дюймовые Твердость 9,0 Моха для питания RF LED

Получите самую лучшую цену

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Получите самую лучшую цену

Видео

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену

Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Ноль производственного класса

Получите самую лучшую цену

InP Лазерная эпитаксиальная пластина Индий фосфидная пластина DFB/EML Эпитаксиальная пластина для интеллектуального обнаружения

Получите самую лучшую цену

4 5 6 7 8 9 10 11