logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic wafer Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [sic wafer ]

  совпадение  

313

  ПРОДУКТЫ
Купить тип субстраты p метода роста 6Inch VGF GaAs вафель GaAs Производство в сети

тип субстраты p метода роста 6Inch VGF GaAs вафель GaAs

Получите самую лучшую цену
Купить 3

3 "Необрезанные InSb-палиты IR-детектор фотодиодный термоизолятор 85 ГГц

Получите самую лучшую цену
Купить Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов Производство в сети

Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов

Получите самую лучшую цену
Купить Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост Производство в сети

Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G Производство в сети

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовая кремниево-карбидная эпитаксиальная пластина типа 4H-N диаметром 50,8 мм для высокотемпературных датчиков Производство в сети

2-дюймовая кремниево-карбидная эпитаксиальная пластина типа 4H-N диаметром 50,8 мм для высокотемпературных датчиков

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр

Получите самую лучшую цену
Купить SiC кристаллическое 4H-SEMI 4

SiC кристаллическое 4H-SEMI 4" оптически вафля кремниевого карбида

Получите самую лучшую цену
Купить Прозрачный размер оптически объектива 4H-SEMI Customzied SIC Кристл Производство в сети

Прозрачный размер оптически объектива 4H-SEMI Customzied SIC Кристл

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC Производство в сети Видео

Вафля кремниевого карбида субстратов 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N SiC

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC Производство в сети

подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить объектив блока Sic высокой резистивности термальной проводимости оптически для оптики суммы Производство в сети

объектив блока Sic высокой резистивности термальной проводимости оптически для оптики суммы

Получите самую лучшую цену
Купить Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC Производство в сети

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Получите самую лучшую цену
Купить вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch Производство в сети

вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch

Получите самую лучшую цену
Купить Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок Производство в сети

Высокочистая пластина-носитель, покрытая SiC, для обработки и переноса пластинок

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовые 6-дюймовые 8-дюймовые 4-H-SiCOI пластинки композитный SiC на изоляторных субстратах Производство в сети

4-дюймовые 6-дюймовые 8-дюймовые 4-H-SiCOI пластинки композитный SiC на изоляторных субстратах

Получите самую лучшую цену
4 5 6 7 8 9 10 11
4 5 6 7 8 9 10 11
Хорошая цена 4-дюймовые 6-дюймовые 8-дюймовые 4-H-SiCOI пластинки композитный SiC на изоляторных субстратах онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic wafer Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ sic wafer ]  совпадение 313 ПРОДУКТЫ
Купить 4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade Производство в сети

4H-N SiC субстрат Кремниевый углеродный субстрат Квадрат 5 мм * 5 мм Специализированная толщина 350um Prime Grade / Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений Производство в сети

Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм Производство в сети

4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения Производство в сети

8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену
Купить 4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина Производство в сети Видео

4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу Производство в сети

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый 8-дюймовый 4-H-SEMI SiC субстрат для оптического класса очки AR Производство в сети

6-дюймовый 8-дюймовый 4-H-SEMI SiC субстрат для оптического класса очки AR

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир Производство в сети

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Получите самую лучшую цену
4 5 6 7 8 9 10 11