Ключевые слова [ sic wafer ] совпадение 211 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

sic wafer Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(35)

Вафля сапфира

(75)

Субстрат SiC

(139)

Сапфир оптически Виндовс

(74)

Вафля фосфида индия

(34)

Части сапфира

(74)

защитное прозрачное стекло сапфира

(28)

Синтетическая драгоценная камень

(64)

Оборудование полупроводника

(35)

Вафля LiNbO3

(16)

Вафля GaAs

(24)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(22)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Высокая точность SIC Кремниевый карбид Керамический Чак Керамический элемент Вакуумный сосок Настройка

Получите самую лучшую цену

вафля BF33 сапфира 6 дюймов для плиты несущей полупроводника GaAs

Получите самую лучшую цену

Видео

Двойная сторона отполировала вафлю несущей сапфира 8inch Ssp поверхностную

Получите самую лучшую цену

Видео

Оборудование для микрореактивной лазерной технологии для срезки пластинок металлическим карбидом кремния

Получите самую лучшую цену

SIC Силиконовый карбид Керамическая труба Труба на заказ Огнестойкая высокая прочность Электронная химическая промышленность

Получите самую лучшую цену

Видео

Вафля BF33 сапфира Dia 200mm синтетическая для плиты несущей полупроводника GaAs

Получите самую лучшую цену

Видео

Система разжигания вафелей Точное оборудование для разжигания вафелей SiC Si Совместимое 4 -12 дюймовое емкость вафелей

Получите самую лучшую цену

2 " 3" FZ SiO2 однокристаллические IC чипы 100um 200um Сухой влажный окислительный слой 100nm 300nm

Получите самую лучшую цену

Семенная пластинка SiC 4H N типа Dia 153 155 2 дюйма-12 дюймов на заказ Используется для производства MOSFET

Получите самую лучшую цену

Кристаллические семена SiC Dia 205 203 208 Уровень производства PVT/HTCVD рост

Получите самую лучшую цену

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену

Видео

Силиконовый карбид (SiC) субстрат 6 дюймовый 8 дюймовый тестовый вафли для лазерной резки

Получите самую лучшую цену

SiC Кремниевой карбид Керамические подносы Пластинка Вафельный держатель ICP Этирование Процесс для обработки эпитаксиального роста

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Получите самую лучшую цену

4' 5' SiO2 однокристаллические IC чипы CZ метод 500um 1mm Окислительный слой 500nm 2μM

Получите самую лучшую цену

Автоматическая двойная полость полупроводниковая быстроотжигающая печь совместимая с 6дюймовым 8дюймовым 12дюймовым оборудованием для тепловой обработки пластинок 200-1300°C

Получите самую лучшую цену

6 7 8 9 10 11 12 13