Ключевые слова [ sic wafer ] совпадение 202 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

sic wafer Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(76)

Субстрат SiC

(117)

Сапфир оптически Виндовс

(71)

Вафля фосфида индия

(35)

Части сапфира

(69)

защитное прозрачное стекло сапфира

(27)

Синтетическая драгоценная камень

(69)

Оборудование полупроводника

(27)

Вафля LiNbO3

(15)

Вафля GaAs

(25)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(21)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

8-дюймовый Си-Си вафла Кремниевого карбида вафла Прайм Дамми Исследовательский класс 500м 350мм

Получите самую лучшую цену

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Получите самую лучшую цену

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Получите самую лучшую цену

4" 4H-полувысокочистые SIC пластинки полупроводниковые EPI субстраты

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Получите самую лучшую цену

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремниевого карбида ранга 6инч

Получите самую лучшую цену

Видео

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Получите самую лучшую цену

Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное

Получите самую лучшую цену

ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная

Получите самую лучшую цену

вафли Sic кремниевого карбида 4h-N 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP поверхностные

Получите самую лучшую цену

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену

тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента

Получите самую лучшую цену

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Получите самую лучшую цену

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Получите самую лучшую цену

1 2 3 4 5 6 7 8