logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [sic substrate ]

  совпадение  

253

  ПРОДУКТЫ
Купить Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники Производство в сети

Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень Производство в сети

Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств Производство в сети

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Сик оптическая линза 10x10x10ммт 4H-SEMI HPSI форма и размер на заказ 6SP Толщина 10.05 Производство в сети

Сик оптическая линза 10x10x10ммт 4H-SEMI HPSI форма и размер на заказ 6SP Толщина 10.05

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс Производство в сети

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G Производство в сети

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс Производство в сети

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовая кремниево-карбидная эпитаксиальная пластина типа 4H-N диаметром 50,8 мм для высокотемпературных датчиков Производство в сети

2-дюймовая кремниево-карбидная эпитаксиальная пластина типа 4H-N диаметром 50,8 мм для высокотемпературных датчиков

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm Производство в сети

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime Производство в сети

4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс Производство в сети

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс Производство в сети

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Получите самую лучшую цену
Купить 5*5 мм/10*10 мм Силиконовый карбид толщина вафли 350μm Sic 3C-N тип высокая механическая прочность Производство в сети

5*5 мм/10*10 мм Силиконовый карбид толщина вафли 350μm Sic 3C-N тип высокая механическая прочность

Получите самую лучшую цену
Купить Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов Производство в сети

Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9
2 3 4 5 6 7 8 9
Хорошая цена Семенная вафель SiC 4H N Type Dia 153 155 2 дюйма - 12 дюймов онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. sic substrate Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории
Твой поиск  [ sic substrate ]  совпадение 253 ПРОДУКТЫ
Купить Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость Производство в сети Видео

Специальное квадратное оптическое окно Зеленый мойсанит SiC кристалл Высокая твердость

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств Производство в сети

6 дюймовый ультравысоковольтный Си-Си эпитаксиальный пластинка 100 500 мкм для MOSFET устройств

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост Производство в сети

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Получите самую лучшую цену
Купить вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Производство в сети Видео

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Получите самую лучшую цену
Купить основные 2

основные 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N изолируя вафлю sic кремниевого карбида субстрата Sic

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном Производство в сети

Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс Производство в сети

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс Производство в сети

12-дюймовый Сик Вафер Силиконовый карбид 4H-N Тип Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир Производство в сети

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм Производство в сети

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства Производство в сети

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9