logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. polished silicon wafer Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [polished silicon wafer ]

  совпадение  

210

  ПРОДУКТЫ
Купить тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства Производство в сети

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену
Купить 5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы Производство в сети

5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы

Получите самую лучшую цену
Купить Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический Производство в сети Видео

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Получите самую лучшую цену
Купить Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC Производство в сети Видео

Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD Производство в сети

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу Производство в сети

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид вафель 6H P-тип и 4H P-тип нулевой MPD производство дублированный класс диа 4 дюймов 6 дюймов Производство в сети

Силиконовый карбид вафель 6H P-тип и 4H P-тип нулевой MPD производство дублированный класс диа 4 дюймов 6 дюймов

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства Производство в сети

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс Производство в сети

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования Производство в сети

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить 6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир Производство в сети

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Получите самую лучшую цену
Купить Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик Производство в сети

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Получите самую лучшую цену
Купить вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC Производство в сети

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого Производство в сети

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

Получите самую лучшую цену
Купить Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное Производство в сети

Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. polished silicon wafer Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Твой поиск  [ polished silicon wafer ]  совпадение 210 ПРОДУКТЫ
Купить 4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS Производство в сети

4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS

Получите самую лучшую цену
Купить 4' 5' SiO2 однокристаллические IC чипы CZ метод 500um 1mm Окислительный слой 500nm 2μM Производство в сети

4' 5' SiO2 однокристаллические IC чипы CZ метод 500um 1mm Окислительный слой 500nm 2μM

Получите самую лучшую цену
Купить Субстраты DSP вафель кварца вафель BF33 сапфира 12 дюймов Производство в сети Видео

Субстраты DSP вафель кварца вафель BF33 сапфира 12 дюймов

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля полупроводника Кристл стекла сапфира Ar покрывая Производство в сети

Вафля полупроводника Кристл стекла сапфира Ar покрывая

Получите самую лучшую цену
Купить A-ось Сапфировая вафель 60/40 Поверхность и защитный DSP монокристаллический Производство в сети

A-ось Сапфировая вафель 60/40 Поверхность и защитный DSP монокристаллический

Получите самую лучшую цену
Купить Сапфировая вафель 4

Сапфировая вафель 4" диаметром 100 мм±0,1 мм Толщина 650 мм C-плоскость

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянная толщина 1.5mm 4

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

Получите самую лучшую цену
Купить фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик Производство в сети

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Получите самую лучшую цену
Купить вафли Sic кремниевого карбида 4h-N 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP поверхностные Производство в сети

вафли Sic кремниевого карбида 4h-N 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP поверхностные

Получите самую лучшую цену
Купить SiC кристаллическое 4H-SEMI 4

SiC кристаллическое 4H-SEMI 4" оптически вафля кремниевого карбида

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконокарбидная вафель 6H P-типа стандартной производственной категории Dia:145.5 мм ~ 150,0 мм Толщина 350 мм ± 25 мм Производство в сети

Силиконокарбидная вафель 6H P-типа стандартной производственной категории Dia:145.5 мм ~ 150,0 мм Толщина 350 мм ± 25 мм

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид 4H P-Type Zero MPD Производственный класс Производство в сети

Силиконовый карбид 4H P-Type Zero MPD Производственный класс

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8