Ключевые слова [ gap wafer ] совпадение 97 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

gap wafer Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(35)

Вафля сапфира

(75)

Субстрат SiC

(139)

Сапфир оптически Виндовс

(74)

Вафля фосфида индия

(34)

Части сапфира

(74)

защитное прозрачное стекло сапфира

(28)

Синтетическая драгоценная камень

(66)

Оборудование полупроводника

(35)

Вафля LiNbO3

(16)

Вафля GaAs

(24)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(22)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

объектив блока Sic высокой резистивности термальной проводимости оптически для оптики суммы

Получите самую лучшую цену

Видео

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Получите самую лучшую цену

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену

Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

Получите самую лучшую цену

Видео

подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm

Получите самую лучшую цену

Видео

кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC

Получите самую лучшую цену

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену

Оптически отполированная сторона двойника размера стекла окна ЛиТаО3 подгонянная квадратная

Получите самую лучшую цену

Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники

Получите самую лучшую цену

Прозрачное 10x15mm субстрат GaO окиси галлия 001 ориентации для применения СИД

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель

Получите самую лучшую цену

Автоматическая двойная полость полупроводниковая быстроотжигающая печь совместимая с 6дюймовым 8дюймовым 12дюймовым оборудованием для тепловой обработки пластинок 200-1300°C

Получите самую лучшую цену

6H-P Силиконовый карбид Си Си субстрат 6 дюймовый SIC вафель 4H-P Для оптоэлектронных устройств

Получите самую лучшую цену

2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components

Получите самую лучшую цену

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Получите самую лучшую цену

4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения

Получите самую лучшую цену

1 2 3 4 5 6 7