logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
решения
Блог
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. gap wafer Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [gap wafer ]

  совпадение  

98

  ПРОДУКТЫ
Купить 2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевой карбидный субстрат 4H 6H 3C Тип поддержки Производство в сети

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевой карбидный субстрат 4H 6H 3C Тип поддержки

Получите самую лучшую цену
Купить Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Ноль производственного класса Производство в сети

Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Ноль производственного класса

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7
1 2 3 4 5 6 7
Хорошая цена Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Ноль производственного класса онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. gap wafer Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs
Твой поиск  [ gap wafer ]  совпадение 98 ПРОДУКТЫ
Купить Оптически отполированная сторона двойника размера стекла окна ЛиТаО3 подгонянная квадратная Производство в сети

Оптически отполированная сторона двойника размера стекла окна ЛиТаО3 подгонянная квадратная

Получите самую лучшую цену
Купить Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники Производство в сети

Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Прозрачное 10x15mm субстрат GaO окиси галлия 001 ориентации для применения СИД Производство в сети

Прозрачное 10x15mm субстрат GaO окиси галлия 001 ориентации для применения СИД

Получите самую лучшую цену
Купить Оборудование для микроджетового лазера для округления пластинок из карбида кремния и разбивки пластинок на основе кремния Производство в сети

Оборудование для микроджетового лазера для округления пластинок из карбида кремния и разбивки пластинок на основе кремния

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель Производство в сети

2-дюймовый Сик субстрат 6H-N Тип толщины 350 мм 650 мм Сик вафель

Получите самую лучшую цену
Купить Автоматическая двойная полость полупроводниковая быстроотжигающая печь совместимая с 6дюймовым 8дюймовым 12дюймовым оборудованием для тепловой обработки пластинок 200-1300°C Производство в сети

Автоматическая двойная полость полупроводниковая быстроотжигающая печь совместимая с 6дюймовым 8дюймовым 12дюймовым оборудованием для тепловой обработки пластинок 200-1300°C

Получите самую лучшую цену
Купить 6H-P Силиконовый карбид Си Си субстрат 6 дюймовый SIC вафель 4H-P Для оптоэлектронных устройств Производство в сети

6H-P Силиконовый карбид Си Си субстрат 6 дюймовый SIC вафель 4H-P Для оптоэлектронных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 2

2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components

Получите самую лучшую цену
Купить кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников Производство в сети

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения Производство в сети

4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения

Получите самую лучшую цену
Купить 3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты Производство в сети Видео

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Получите самую лучшую цену
Купить 2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс Производство в сети

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену
2 3 4 5 6 7 8 9