Результат поиска

Дом ПРОДУКТЫ gap wafer Онлайн изготовитель

Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Свяжитесь мы

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Свяжитесь сейчас

Твой поиск

[gap wafer ]

совпадение

ПРОДУКТЫ

результаты поиска

Дом ПРОДУКТЫ gap wafer Онлайн изготовитель

Все категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Твой поиск [ gap wafer ] совпадение 98 ПРОДУКТЫ

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,05,0 мм/10,010,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Получите самую лучшую цену

Прозрачный размер оптически объектива 4H-SEMI Customzied SIC Кристл

Получите самую лучшую цену

4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности

Получите самую лучшую цену

Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

Получите самую лучшую цену

2 дюймовые 4 дюймовые 6 дюймовые модели сапфирового субстрата PSS для светодиодов светодиодов

Получите самую лучшую цену

3 дюйма HPSI SiC толщина субстрата 500um Prime Dummy исследовательский класс прозрачный оптический класс для AR очков

Получите самую лучшую цену

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

Получите самую лучшую цену

Купить 12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G Производство в сети

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

Получите самую лучшую цену

4 дюйма 3C N-тип SiC субстрат Кремниевый карбид субстрат толщиной 350um Прайм-класс

Получите самую лучшую цену

2 3 4 5 6 7 8 9

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

[gap wafer ]

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Объектив HPSI 4H-SEMI прозрачный бесцветный подгонянный SIC

Прозрачный размер оптически объектива 4H-SEMI Customzied SIC Кристл

4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

2 дюймовые 4 дюймовые 6 дюймовые модели сапфирового субстрата PSS для светодиодов светодиодов

3 дюйма HPSI SiC толщина субстрата 500um Prime Dummy исследовательский класс прозрачный оптический класс для AR очков

6 дюймовый Сик Силиконовый карбид субстрат 6H-P тип для связи и радиолокационных систем Диаметр 150 мм

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

4 дюйма 3C N-тип SiC субстрат Кремниевый карбид субстрат толщиной 350um Прайм-класс

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,05,0 мм/10,010,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс