Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля фосфида индия >
2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
2

2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components

Место происхождения Китай
Фирменное наименование ZMSH
Сертификация ROHS
Номер модели Субстраты InSb-Te
Детали продукта
материалы:
InSb-Te
Диаметр:
2"
Легирующая примесь:
ТЭ
ориентация:
(111) +/- 0,5°
Толщина:
510+/-25um
TTV:
≤10um
Метод роста:
CZ
Подвижность:
>100000@77K
Применение:
Субстраты полупроводников
Высокий свет: 

"2" InSb-Te EPI субстраты

,

Субстраты полупроводников GaP

,

EPI Индий фосфидные пластинки

Характер продукции

2 ∆ InSb-Te EPI субстраты узкополосный разрыв полупроводниковые субстраты Hall компоненты

 

Описание InSb-Te:

Антимонид индия (ИнСб), как вид бинарного соединения полупроводникового материала группы iii-V, был в центре исследований в областиполупроводникиИнСб обладает очень высокой производительностью и высокой производительностью.узкий пробел в полосе, очень небольшая эффективная масса электронов и очень высокая мобильность электронов, особенно примечательно, что он относится к внутреннему поглощению в спектральном диапазоне3-5 мкм, с почти 100-процентной квантовой эффективностью, что делает его предпочтительным материалом для приготовления средневолновойинфракрасные детекторы, а перспективы применения и коммерческий спрос огромны. Размер решетчатой структуры атома te и атома sb близки друг к другу,и структура валентной электронной оболочки также близка друг к другу. атом допируется в качестве заместителя для замены Sb в кристалле и играет роль донора.CZ-pullЭтот метод может быть использован для приготовления материалов из тела insb с определенной концентрацией те-допинга, и добавление te может изменить проводящий тип кристаллов insb,и также оказал важное влияние на электрические и оптические свойства материаловСоответствующие исследования заложили экспериментальную основу для пространственного ростаТе Допированные.

 

Особенности InSb-Te:

Высокая концентрация носителя Он обладает более высокой электрической проводимостью и низкой сопротивляемостью в электронных устройствах.
Высокая мобильность носителей Он описывает носители в материале, которые двигаются под электрическим полем.
Определить характер Допинг теллуром может увеличить теплоту кристаллических материалов InSb. Стабильность.
Поглощение света Допинг теллуром может изменить структуру кристаллов InSb.
Излучение света Те-допированный InSb может быть стимулирован для производства светового излучения путем:
Внешнее возбуждение или впрыск электронов.
Совместимость ТЭ-допированный субстрат InSb имеет хорошее сочетание решетки с другими полупроводниками.
Тепловая стабильность Допинг теллуром может улучшить тепловую устойчивость материалов InSb.
Оптические свойства Допинг теллуром также оказывает определенное влияние на
оптические свойства материалов InSb

 

Технические параметры InSb-Te:

Параметр

InSb-Te-2in-510um-PP

Способ выращивания

CZ

Допирующее средство

Т

Ориентация

(111) +/- 0,5°

Угол ориентации

Никаких

Закругление краев

0.25

Диаметр

50.5+/-0.5

Толщина

510+/-25

Ориентация

EJ[01-1]+/-0,5°

ДЛОГО

16+/-2

Ориентация на ИФ

EJ[01-1]+/-0,5°

Длина IF

8+/-1

CC

0.4-1.4E5@77K

Мобильность

>100000@77K

EPD-AVE

≤ 50

TTV

≤ 10

TIR

≤ 10

ВЫБОК

≤ 10

Варп

≤ 15

Передняя поверхность

Полированные

Поверхность задней стороны

Полированные

Пачагинг

Одноразовая поднос

 

 

Применение InSb-Te:

1Высокоскоростные электронные устройства: кристаллы InSb, допированные теллуром, также имеют потенциал в высокоскоростных электронных устройствах.

 

2Квантовые устройства структуры: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки квантовых устройств структуры, таких как

Квантовые скважины и квантовые устройства.

 

3. оптоэлектронные устройства: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки различных оптоэлектронных устройств, таких как

фотодетекторы, фотоэлектрические усилители и фотоэлектрические преобразователи.

 

4Инфракрасный детектор: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки высокопроизводительных инфракрасных детекторов.

Допинг теллуром может увеличить концентрацию и подвижность носителей.

 

5Инфракрасные лазеры: кристаллы InSb, допированные Te, также имеют потенциал применения в области инфракрасных лазеров.

Теллурий допинг в кристаллы InSb, полоса структура INSB кристаллов может реализовать работу инфракрасных лазеров.

 

 

2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components 0

 

 

Другие продукты, связанные с InSb-Te:

SIC Субстрат:

2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components 1

 

 

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Какой брендTe-InSb?

A: Название маркиTe-InSbэто ZMSH.

 

Вопрос: Что такое сертификацияTe-InSb?

A: СертификацияTe-InSbэто ROHS.

 

В: Где находится место происхожденияTe-InSb?

A: Место происхожденияTe-InSbЭто Китай.

 

Вопрос: каков MOQTe-InSb одновременно?

A: МОКTe-InSb25 штук за раз.

 

 

Бирки:

субстрат мго,

Вафля зазора,

вафля иньп

Порекомендованные продукты

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
8615801942596
eric406337393
eric_wang@zmsh-materials.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас