Вафля нитрида галлия

Все продукты

Вафля нитрида галлия (35)

Вафля сапфира (88)

Субстрат SiC (132)

Сапфир оптически Виндовс (77)

Кремниевая пластина ИК (22)

Синтетический сапфир штанга (13)

Плита плавленного кварца (40)

Части сапфира (114)

Синтетическая драгоценная камень (72)

Оборудование полупроводника (55)

Вафля LiNbO3 (18)

Вафля GaAs (24)

Вафля фосфида индия (34)

керамический субстрат (25)

Оболочка лаборатории (31)

Самые лучшие продукты

2 вафля СИД вафли SSP СИД Epi сапфира GaN дюйма пурпурная

Вафли Epi шаблона сапфира вафли нитрида галлия 2 дюймов

Тип вафля n нитрида галлия 4inch Dia100mm свободная стоя HVPE GaN

Оставьте нам сообщение

Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера

Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF

8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

10x10mm 10x15mm 001 Галий оксид ГаО субстрат Mg допинг Ga2O3 Галий нитрид вафель

Вафля нитрида галлия

(35)

Прозрачное 10x15mm субстрат GaO окиси галлия 001 ориентации для применения СИД
контакт

давать допинг Mg субстрата GaO окиси галлия 001 10x15mm структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm------------------------------------------------------------------------------------------------------... Подробнее

2023-07-19 17:42:35

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг
контакт

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaO окиси галлия ориентации с Fe дало допинг ориентация субстрата 100 GaO окиси галлия 10x15mm структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm -------------------------... Подробнее

2023-07-19 17:40:37

Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном
контакт

B2inch GaN-НА-GaN голубых зеленых ВЕДОМЫХ Микро вафлях epi на свободно стоящих субстратах GaN 2inch GaN-НА-GaN вафлях PIN на свободно стоящих субстратах GaN GaN на GaN В GaN на GaN вертикальном GaN, никакие рас... Подробнее

2023-07-19 17:37:37

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма
контакт

B2inch GaN-НА-GaN голубых зеленых ВЕДОМЫХ Микро вафлях epi на свободно стоящих субстратах GaN 2inch GaN-НА-GaN вафлях PIN на свободно стоящих субстратах GaN Около GaN-на-GaN особенности введите Вертикальные при... Подробнее

2023-07-13 14:46:03

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий
контакт

2-дюймовый шаблон подложек GaN, пластина GaN для светодиодов, полупроводниковая пластина нитрида галлия для ld, шаблон GaN, пластина GaN mocvd, отдельно стоящие подложки GaN индивидуального размера, пластина ... Подробнее

2023-02-15 17:10:41

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления
контакт

SD customzied вафли теплоотвода GaN&Diamond метода размера MPCVD для термальной зоны управления Диамант имеет широкий зазор диапазона, высокую термальную проводимость, высокую прочность поля нервного расстройст... Подробнее

2023-01-03 11:54:15

Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального
контакт

customzied вафли теплоотвода GaN&Diamond метода размера MPCVD для термальной зоны управления Вафли субстрата диаманта polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального Диамант имеет широкий зазор диапазона, высокую ... Подробнее

2023-01-03 11:49:13

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций
контакт

customzied вафли теплоотвода GaN&Diamond метода размера MPCVD для термальной зоны управления GaN широко использовано в полях радиочастоты, быстро поручать и другого, но свои представление и надежность связаны с ... Подробнее

2023-01-03 11:44:58

AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате диаманта
контакт

AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате AlN диаманта на сапфире /AlN-on-SiC/ AlN-НА кремнии Нитрид алюминия (AlN) один из немногих неметаллических материалов с высокой термальной ... Подробнее

2023-01-03 11:41:01

Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE
контакт

вафля GaN нитрида галлия метода 4inch HVPE, свободные субстраты для applicaion СИД, обломоки GaN положения GaN размера 10x10mm, вафля HVPE GaN Около GaN-на-GaN особенности введите Вертикальные приборы силы GaN ... Подробнее

2022-10-28 09:53:24

Page 2 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|