Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля нитрида галлия
ВСЕ ПРОДУКТЫ
ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ
Видео Китай ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

Китай ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Китай материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео Китай Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео Китай Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Китай Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Китай GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Китай Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

Вафля нитрида галлия

Китай Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

Китай Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

Китай Субстрат HVPE GaN или вафля шаблона EPI GaN для применений RF

Субстрат HVPE GaN или вафля шаблона EPI GaN для применений RF

Китай субстраты orSapphire GaN-на-сапфира 6Inch основали голубой HEMT приведенный Epi-вафли

субстраты orSapphire GaN-на-сапфира 6Inch основали голубой HEMT приведенный Epi-вафли

Китай GaN-НА-кремний вафли нитрида галлия 300mm для СИД силы микро-

GaN-НА-кремний вафли нитрида галлия 300mm для СИД силы микро-

Китай Undoped вафли M-оси HVPE GAN 10X10mm для semiconducting

Undoped вафли M-оси HVPE GAN 10X10mm для semiconducting

Китай Выкристаллизовыванная вафля нитрида галлия HVPE GaN для прибора лазера

Выкристаллизовыванная вафля нитрида галлия HVPE GaN для прибора лазера

Китай Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера

Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера

Китай шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

Китай вафля шаблона GaN AlN нитрида галлия 2inch 4Inch на сапфире, субстратах Si

вафля шаблона GaN AlN нитрида галлия 2inch 4Inch на сапфире, субстратах Si

Китай Шаблон ГаН растет ориентация таможни обломока субстрата несущей сапфира применения ССП

Шаблон ГаН растет ориентация таможни обломока субстрата несущей сапфира применения ССП

Китай Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм

Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм

Китай Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

Китай Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

1 2

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
8615801942596
eric406337393
eric_wang@zmsh-materials.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас