Поддерживается до 5 файлов размером 10M каждый. Хорошо

Вафля нитрида галлия

Получить цитату

качество Вафля нитрида галлия обслуживание

Главная страница - категории - Вафля нитрида галлия

категории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Вафля фосфида индия

Сапфир оптически Виндовс

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Синтетический сапфир штанга

Синтетический рубин

Кремниевая пластина ИК

Плита плавленного кварца

керамический субстрат

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

1 2 Общее 3 Страницы

самые последние продукты

Наши продукты продаются по всему миру, поэтому вы можете быть уверены в том, что производятся наши продукты в целом.

Китай материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Китай Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Китай Рубин Кристл твердости 9,0 Кристл имперского голубого самоцвета сапфира искусственный

Рубин Кристл твердости 9,0 Кристл имперского голубого самоцвета сапфира искусственный

Китай Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального

Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального

Китай GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций

Китай AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате диаманта

AlN на эпитаксиальных пленках AlN вафель шаблона диаманта на субстрате диаманта

Китай Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE

Свободные стоящие субстраты 4inch GaN вафли нитрида галлия HVPE

Китай вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch

вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch

Китай Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия

Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия

Китай Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

Китай GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Китай Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

Китай Субстрат HVPE GaN или вафля шаблона EPI GaN для применений RF

Субстрат HVPE GaN или вафля шаблона EPI GaN для применений RF

Китай субстраты orSapphire GaN-на-сапфира 6Inch основали голубой HEMT приведенный Epi-вафли

субстраты orSapphire GaN-на-сапфира 6Inch основали голубой HEMT приведенный Epi-вафли

Китай 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

Китай GaN-НА-кремний вафли нитрида галлия 300mm для СИД силы микро-

GaN-НА-кремний вафли нитрида галлия 300mm для СИД силы микро-