Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

вафля ГаН нитрида галлия метода 2инч ХВПЭ, свободные стоящие субстраты для аппликайон СИД, обломоки ГаН ГаН размера 10кс10мм, вафля ХВПЭ ГаН

О особенности ГаН введите

Растущий спрос для высокоскоростных, высокотемпературных и высоких сил-регулируя возможностей имеет индустрию полупроводника мадете переосмыслить выбор материала используемые как полупроводники. Например,

по мере того как различные более быстрые и более небольшие вычислительные приборы возникают, польза кремния делает ее трудным вытерпеть закон Мооре. Но также в вафле производительности электроники, поэтому полупроводнике ГаН растет вне для потребности.

Должен к своим уникальному пробивному напряжению характеристик (высокое максимальное настоящего, высокой, и высокой переключая частоте), нитрид ГаН галлия уникальный материал выбора для того чтобы разрешить энергитические проблемы будущего. ГаН основало системы имеет более высокий энергетический коэффициент полезного действия, таким образом уменьшающ потери электропитания, переключите на более высокой частоте, таким образом уменьшающ размер и вес.

Технология ГаН использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, АК и инверторы УПС, и гибридные и электрические автомобили. Фуртерморе,

ГаН идеально одето для применений РФ как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и кабельное телевидение

инфраструктура в сети, участках воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность, малошумной диаграмме и высоких линеарностях.

Применения

Спецификации для ранга СИД субстратов ГаН