logo
Хорошая цена  Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. polished silicon wafer Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [polished silicon wafer ]

  совпадение  

160

  ПРОДУКТЫ
3 4 5 6 7 8 9 10
3 4 5 6 7 8 9 10
Хорошая цена Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. polished silicon wafer Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ polished silicon wafer ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Получите самую лучшую цену

5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы

Получите самую лучшую цену
Купить Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический Производство в сети Видео

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Получите самую лучшую цену
Купить Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC Производство в сети Видео

Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену

8-12 дюймовые стеклянные пластинки для полупроводников и передовых упаковочных приложений

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид вафель 6H P-тип и 4H P-тип нулевой MPD производство дублированный класс диа 4 дюймов 6 дюймов

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид субстрат типа 6H-P на оси 0° Твердость Моха 9.2 для лазерного устройства

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 6H Высокий П-допированный Тип от оси 4,0°вперёд Прайм-класс Дублированный класс

Получите самую лучшую цену

2 дюйма/4 дюймов/6 дюймов/5,0*5,0 мм/10,0*10,0 мм Сик Кремниевой карбидный субстрат Тип 3C-N На оси: < 111 > ± 0,5° Производственный класс

Получите самую лучшую цену

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10