logo
Хорошая цена  Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC wafer Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [SiC wafer ]

  совпадение  

160

  ПРОДУКТЫ

Машина для резки алмазной проволоки

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10
3 4 5 6 7 8 9 10
Хорошая цена Однокомпонентная горизонтальная упаковочная коробка для вафли с переносчиком вафли в формате PP PC с пенной подушкой Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. SiC wafer Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ SiC wafer ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ

SiC Multi-Wafer Carrier Plate Без давления синтерированный карбид кремния для поддержки вафеля

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime

Получите самую лучшую цену

Полуизоляционный SiC на Si Compound Wafer 4H-SEMI субстрат P типа N типа Толщина 500um

Получите самую лучшую цену

Эффектор конца носителя для обработки вафелей из керамики Sic

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники Производство в сети Видео

Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид Wafer Sic 6H-P Type Off Axis 2.0° В сторону производства

Получите самую лучшую цену

12 дюймовый 300 мм Силиконовый карбидный пластинка 4H-N тип Dummy Prime исследовательский класс Многочисленные приложения

Получите самую лучшую цену

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Получите самую лучшую цену

12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену

4 дюйма 3C N-тип SiC субстрат Кремниевый карбид субстрат толщиной 350um Прайм-класс

Получите самую лучшую цену
3 4 5 6 7 8 9 10