logo
Хорошая цена  онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. gan substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск

  [gan substrate ]

  совпадение  

181

  ПРОДУКТЫ
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена Высокочистый полуизоляционный SiC-вафля HPSI Кремниевой карбидный субстрат для энергетических и радиочастотных устройств онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. gan substrate Онлайн изготовитель
Твой поиск  [ gan substrate ]  совпадение 181 ПРОДУКТЫ
Купить 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC Производство в сети Видео

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Получите самую лучшую цену
Купить 4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники Производство в сети Видео

4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену

5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы

Получите самую лучшую цену
Купить Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC Производство в сети Видео

Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC

Получите самую лучшую цену

Квадратная подложка из монокристаллического сапфира (плоскость C, SSP) 10x10 мм, полированная с одной стороны

Получите самую лучшую цену
Купить 6-12 дюймовая система лазерного разделения SiC-субстрата Производство в сети Видео

6-12 дюймовая система лазерного разделения SiC-субстрата

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый политип N-типа 6H Кремниевый карбид субстрат оптоэлектроника рост нитрида галлия

Получите самую лучшую цену

2-дюймовая монокристаллическая сапфировая пластина с двойными сторонами полированная Al2O3 99,999% однокристаллическая подложка

Получите самую лучшую цену

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 5x5 мм 10x10 мм 4H-SiC Подложки 3C-N Тип MOS Grade

Получите самую лучшую цену

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8