Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Квадратная подложка из монокристаллического сапфира (плоскость C, SSP) 10x10 мм, полированная с одной стороны

Наименование марки:	ZMSH
MOQ:	10
Время доставки:	2-4 недели
Условия оплаты:	Т/Т

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Шанхай

Материал:

Высокая чистота >99,99%, монокристаллический Al₂O₃

Измерение:

10 × 10 мм

Толщина:

1 мм (другая толщина возможна по запросу)

Ориентация:

От плоскости C (0001) до M (1-100) отклонение 0,2° ± 0,1°

Параметр решетки:

а = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Плотность:

30,98 г/см3

Коэффициент термического расширения:

6,66×10⁻⁶/°C (ось ‖C), 5×10⁻⁶/°C (ось ⊥C)

Диэлектрическая прочность:

4,8×10⁵ В/см

Диэлектрическая постоянная:

11,5 (ось ‖C), 9,3 (ось ⊥C) при 1 МГц

Тангенс диэлектрической потери:

< 1×10⁻⁴

Теплопроводность:

40 Вт/(м·К) при 20°C

Полировка:

Односторонняя полировка (SSP), Ra < 0,3 нм (AFM); тыльная сторона мелкошлифованная Ra = 0,8–1,2 м

Выделить:

SSP сапфировая подложка

Квадратная подложка из монокристаллического сапфира

Сапфировая подложка с плоскостью C

Характер продукции

Однокристаллическая квадратная сапфировая подложка (C-плоскость, SSP) 10x10 мм, полированная с одной стороны

Квадратная сапфировая подложка (SSP) Описание продукта

Квадратная сапфировая подложка (SSP) изготовлена из монокристаллического Al₂O₃ высокой чистоты (>99,99%), обеспечивающего превосходную механическую прочность, термическую стабильность и оптическую прозрачность. С ориентацией по C-плоскости (0001) и полированной с одной стороны (SSP) поверхностью, она идеально подходит для эпитаксиального роста, производства светодиодов на основе GaN, оптических компонентов и высокотемпературных или вакуумных применений.

Основные характеристики квадратной сапфировой подложки (SSP)

Параметр	Спецификация
Материал	Высокая чистота >99,99%, монокристаллический Al₂O₃
Размер	10 × 10 мм
Толщина	1 мм (другие толщины доступны по запросу)
Ориентация	C-плоскость (0001) до M (1-100) 0,2° ± 0,1° отклонение
Параметр решетки	a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Плотность	3,98 г/см³
Коэффициент теплового расширения	6,66×10⁻⁶ /°C (\|\|C-ось), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-ось)
Диэлектрическая прочность	4,8×10⁵ В/см
Диэлектрическая проницаемость	11,5 (\|\|C-ось), 9,3 (⊥C-ось) при 1 МГц
Тангенс угла диэлектрических потерь	< 1×10⁻⁴
Теплопроводность	40 Вт/(м·К) при 20°C
Полировка	Полировка с одной стороны (SSP), Ra < 0,3 нм (AFM); обратная сторона тонко шлифованная Ra = 0,8–1,2 мкм

Квадратная сапфировая подложка (SSP) Особенности и преимущества

Исключительная химическая и термическая стабильность
Высокая оптическая прозрачность и плоскостность поверхности
Низкие диэлектрические потери и высокая теплопроводность
Отличная механическая твердость и устойчивость к царапинам
Доступно в нестандартных размерах, ориентациях и толщинах

Квадратная сапфировая подложка (SSP) Применение

Эпитаксиальный рост GaN и AlN
Производство светодиодов и лазерных диодов
Оптические и инфракрасные окна
Высокочастотные и микроволновые устройства высокой мощности
Исследования и тестирование полупроводников

Бирки:

12-дюймовая 300-мм 4H-N 6H-N пластина из карбида кремния (SiC) монокристаллического кремния для силовых приборов и светодиодов

Получите самую лучшую цену

Малоразмерные сапфировые TGV микроволновые пластинки для лабораторного прототипирования, MEMS-устройств и оптических микроструктур

Получите самую лучшую цену

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs