

Дом

О США

Направление компании

Путешествие фабрики

Проверка качества

Часто задаваемые вопросы

ПРОДУКТЫ

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Wire Saw Machine

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля GaAs

решения

Блог

Свяжитесь мы

Покупки

цитата

Хорошая цена онлайн

Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Single Crystal Square Sapphire Substrate ( C-plane , SSP )10x10 mm Single Side Polished

Наименование марки:	ZMSH
MOQ:	10
Время доставки:	2-4 недели
Условия оплаты:	Т/Т

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Шанхай

Материал:

Высокая чистота >99,99%, монокристаллический Al₂O₃

Измерение:

10 × 10 мм

Толщина:

1 мм (другая толщина возможна по запросу)

Ориентация:

От плоскости C (0001) до M (1-100) отклонение 0,2° ± 0,1°

Параметр решетки:

а = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Плотность:

30,98 г/см3

Коэффициент термического расширения:

6,66×10⁻⁶/°C (ось ‖C), 5×10⁻⁶/°C (ось ⊥C)

Диэлектрическая прочность:

4,8×10⁵ В/см

Диэлектрическая постоянная:

11,5 (ось ‖C), 9,3 (ось ⊥C) при 1 МГц

Тангенс диэлектрической потери:

< 1×10⁻⁴

Теплопроводность:

40 Вт/(м·К) при 20°C

Полировка:

Односторонняя полировка (SSP), Ra < 0,3 нм (AFM); тыльная сторона мелкошлифованная Ra = 0,8–1,2 м

Выделить:

SSP Sapphire Substrate

,

Single Crystal Square Sapphire Substrate

,

C-plane Sapphire Substrate

Характер продукции

Single Crystal Square Sapphire Substrate (C-plane, SSP)10x10 mm Single Side Polished

Square Sapphire Substrate (SSP) Product Description

The Square Sapphire Substrate (SSP) is made from high-purity (>99.99%) single crystal Al₂O₃, offering excellent mechanical strength, thermal stability, and optical transparency. With C-plane (0001) orientation and single-side polished (SSP) surface, it is ideal for epitaxial growth, GaN-based LED production, optical components, and high-temperature or vacuum applications.

Square Sapphire Substrate (SSP) Key Specifications

Parameter	Specification
Material	High Purity >99.99%, Single Crystal Al₂O₃
Dimension	10 × 10 mm
Thickness	1 mm (other thicknesses available upon request)
Orientation	C-plane (0001) to M (1-100) 0.2° ± 0.1° off
Lattice Parameter	a = 4.785 Å, c = 12.991 Å
Density	3.98 g/cm³
Thermal Expansion Coefficient	6.66×10⁻⁶ /°C (‖C-axis), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-axis)
Dielectric Strength	4.8×10⁵ V/cm
Dielectric Constant	11.5 (‖C-axis), 9.3 (⊥C-axis) @ 1 MHz
Dielectric Loss Tangent	< 1×10⁻⁴
Thermal Conductivity	40 W/(m·K) at 20°C
Polishing	Single side polished (SSP), Ra < 0.3 nm (AFM); backside fine-ground Ra = 0.8–1.2 μm

Square Sapphire Substrate (SSP) Features & Benefits

Exceptional chemical and thermal stability
High optical transparency and surface flatness
Low dielectric loss and high thermal conductivity
Excellent mechanical hardness and scratch resistance
Available in custom sizes, orientations, and thicknesses

Square Sapphire Substrate (SSP) Applications

GaN and AlN epitaxial growth
LED and laser diode manufacturing
Optical and infrared windows
High-power RF and microwave devices
Research and semiconductor testing

Бирки:

изготовленное на заказ стекло сапфира

субстрат сапфира

оптика сапфира

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

Single Crystal Sapphire Substrates 2

Single Crystal Sapphire Substrates 2", 3", 4", and 6" for LED , Optical and Semiconductor Applications

Получите самую лучшую цену

Single Crystal Sapphire Ingot Al₂O₃ KY CZ 80kg 200kg 400kg for Industrial & Optical Applications

Single Crystal Sapphire Ingot Al₂O₃ KY CZ 80kg 200kg 400kg for Industrial & Optical Applications

Получите самую лучшую цену