Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices

Наименование марки:	ZMSH
Номер модели:	От 2 до 12 дюймов все доступны
MOQ:	5
цена:	by case
Время доставки:	2-4 недели
Условия оплаты:	Т/Т

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Место происхождения:

Китай

Материал:

99,999% Al2O3

Промышленность:

Стекло приведенное, оптически, eli-готовая вафля

Приложение:

Вафля Semicondutor, обломок приведенный, оптически стеклянное окно, электронная керамика

Цвет:

белый или красный или голубой

трансмиссивность света зрения:

85%

advantagement:

высокие hardness9.0, носят сопротивление

тип:

Одиночное Кристл

Упаковывая детали:

Вакуум-загерметизированные контейнеры с азотом backfill в окружающей среде класса 100

Характер продукции

Product Description

Our sapphire wafers are made of single crystal aluminum oxide (Al₂O₃) with a hexagonal lattice structure, commonly available in C-plane, A-plane, and R-plane orientations. With broad optical transparency from near-ultraviolet (190 nm) to mid-infrared, these wafers are ideal for optical components, infrared devices, high-strength laser windows, and mask materials. Sapphire’s high hardness, thermal stability, corrosion resistance, high melting point (2045°C), and excellent transparency make it a reliable material for demanding applications, though it requires precision processing.

For LED manufacturing, sapphire wafers are essential for high-quality GaN epitaxial growth, as their surface processing directly affects the brightness and uniformity of white, blue, and green LEDs. The minimal lattice mismatch between sapphire C-plane substrates and III-V/II-VI thin films ensures excellent alignment with high-temperature epitaxy processes, making sapphire wafers indispensable for advanced optoelectronic devices.

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices 0

Бирки:

4-дюймовый карбид кремниевого карбида типа N с несколькими опциями толщины для силовых установок EV и двигателей высокой плотности

Получите самую лучшую цену

Высокая чистота CVD SiC кольцо для полупроводниковой плазменной гравировки с диаметром 370 мм и теплопроводностью 120200 W/m·K

Получите самую лучшую цену

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs