logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. Sic 6H P Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [Sic 6H P ]

  совпадение  

112

  ПРОДУКТЫ
Купить Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств Производство в сети

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу Производство в сети

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюйма 3C N-тип SiC субстрат Кремниевый карбид субстрат толщиной 350um Прайм-класс Производство в сети

4 дюйма 3C N-тип SiC субстрат Кремниевый карбид субстрат толщиной 350um Прайм-класс

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G Производство в сети

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

Получите самую лучшую цену
Купить Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники Производство в сети Видео

Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Получите самую лучшую цену
Купить Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники Производство в сети Видео

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N Производство в сети Видео

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная Производство в сети

ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная

Получите самую лучшую цену
Купить Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора Производство в сети

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Получите самую лучшую цену
Купить Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов. Производство в сети

Печь для выращивания слитков SiC использует методы PVT, Lely TSSG и LPE для выращивания больших кристаллов размером 4, 6 и 8 дюймов.

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм Производство в сети

4 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Диа 100 мм N тип Prime Grade Dummy Grade Толщина 350 мм

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade Производство в сети

2 дюйма 4H-N Кремниевый карбид Си Си субстрат Толщина 350мм 500мм Си Си пластинка Prime Grade Dummy Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7
1 2 3 4 5 6 7
Хорошая цена 4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. Sic 6H P Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ Sic 6H P ]  совпадение 112 ПРОДУКТЫ
Купить Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic Производство в сети

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 5x5 мм 10x10 мм 4H-SiC Подложки 3C-N Тип MOS Grade Производство в сети

2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 5x5 мм 10x10 мм 4H-SiC Подложки 3C-N Тип MOS Grade

Получите самую лучшую цену
Купить 8-дюймовый Си-Си вафла Кремниевого карбида вафла Прайм Дамми Исследовательский класс 500м 350мм Производство в сети

8-дюймовый Си-Си вафла Кремниевого карбида вафла Прайм Дамми Исследовательский класс 500м 350мм

Получите самую лучшую цену
Купить 6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства Производство в сети

6 дюймов Сик Кремниевой карбид субстрат 4H-P Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Ноль MPD Производство, стандартный уровень производства

Получите самую лучшую цену
Купить Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники Производство в сети

Сик Силиконовый карбид вафель 5*5 мм/10*10 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники

Получите самую лучшую цену
Купить 2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс Производство в сети

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высокая твердость P класс R класс D класс

Получите самую лучшую цену
Купить Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры Производство в сети

Силиконовый карбид Wafer Sic Substrate 4H-P Type Off Axis 4.0°toward Zero Grade Для датчика температуры

Получите самую лучшую цену
Купить 3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты Производство в сети Видео

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Получите самую лучшую цену
Купить Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств Производство в сети

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу Производство в сети

2 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов Sic Кремниевой карбид субстрат 4H-P Тип от оси 2,0° К производственному классу

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель Производство в сети

4H-N Силиконовый карбид СиК субстрат 8 дюймов толщина 350um 500um Прайм-класс Дублированный класс СиК вафель

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса Производство в сети Видео

4H-SEMI SiC субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Prime/Dummy Grade AR очки оптического класса

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8