Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596

Дом

>

ПРОДУКТЫ >

semiconductor wafer Онлайн изготовитель

ВСЕ ПРОДУКТЫ

ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ

Видео Купить ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной Онлайн изготовитель

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

Купить ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная Онлайн изготовитель

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Купить материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий Онлайн изготовитель

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео Купить Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину Онлайн изготовитель

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео Купить Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора Онлайн изготовитель

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Купить Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления Онлайн изготовитель

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Купить GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма Онлайн изготовитель

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Купить Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя Онлайн изготовитель

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

semiconductor wafer (200) Онлайн изготовитель

Качество Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона фабрика

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Видео Качество Одиночной сапфир отполированный стороной разделяет вафли субстрата кристаллов Ал2О3 для Эпи - подготавливайте фабрика

Одиночной сапфир отполированный стороной разделяет вафли субстрата кристаллов Ал2О3 для Эпи - подготавливайте

Видео Качество Двойной отполированная стороной вафля сапфира, толщина дюйма 0.43мм субстрата 2 сапфира фабрика

Двойной отполированная стороной вафля сапфира, толщина дюйма 0.43мм субстрата 2 сапфира

Качество субстрат вафли сапфира -оси m-самолета r-оси 2Inch 3inch 4inch фабрика

субстрат вафли сапфира -оси m-самолета r-оси 2Inch 3inch 4inch

Качество 10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг фабрика

10x15mm 100 ориентация субстрата 100 GaAS окиси галлия ориентации с Fe дало допинг

Видео Качество C - Ось 6 объектив вафли Ал2О3 сапфира дюйма кристаллический оптически для СИД Эпи - подготавливайте фабрика

C - Ось 6 объектив вафли Ал2О3 сапфира дюйма кристаллический оптически для СИД Эпи - подготавливайте

Видео Качество Сопротивление носки вафли сапфира дюйма Ал2О3 оси 8 к для кристаллического оптически объектива фабрика

Сопротивление носки вафли сапфира дюйма Ал2О3 оси 8 к для кристаллического оптически объектива

Качество тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты фабрика

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Видео Качество Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным фабрика

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Качество фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик фабрика

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Качество Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования фабрика

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Видео Качество кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC фабрика

кремниевый карбид Wafersubstrate 10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC

Качество 4 дюйма 6 дюймов Высокая чистота кварцевого кристалла лодка SiO2 Диффузионная обработка вафли Высокая температурная устойчивость фабрика

4 дюйма 6 дюймов Высокая чистота кварцевого кристалла лодка SiO2 Диффузионная обработка вафли Высокая температурная устойчивость

Качество Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2 фабрика

Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

Качество Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с твердостью 9,2 фабрика

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с твердостью 9,2

5 6 7 8 9 10 11 12