Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596

Дом

>

ПРОДУКТЫ >

semiconductor wafer Онлайн изготовитель

ВСЕ ПРОДУКТЫ

ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ

Видео Купить ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной Онлайн изготовитель

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

Купить ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная Онлайн изготовитель

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Купить материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий Онлайн изготовитель

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео Купить Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину Онлайн изготовитель

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео Купить Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора Онлайн изготовитель

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Купить Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления Онлайн изготовитель

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Купить GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма Онлайн изготовитель

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Купить Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя Онлайн изготовитель

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

semiconductor wafer (199) Онлайн изготовитель

Качество Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия фабрика

Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия

Качество Оптически вафля сапфира стекла окна AL2O3 для оборудования вакуума фабрика

Оптически вафля сапфира стекла окна AL2O3 для оборудования вакуума

Качество кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников фабрика

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Качество ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремниевого карбида ранга 6инч фабрика

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремниевого карбида ранга 6инч

Качество 2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components фабрика

2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components

Качество сапфир оптически Windows 8.0mm для оборудования вытравливания полупроводника фабрика

сапфир оптически Windows 8.0mm для оборудования вытравливания полупроводника

Качество полупроводник 120x120mm вытравляя отполированный сапфир оптически Windows фабрика

полупроводник 120x120mm вытравляя отполированный сапфир оптически Windows

Видео Качество Объектив сапфира твердости 9,0 Al2O3 одиночного Кристл покрашенный фабрика

Объектив сапфира твердости 9,0 Al2O3 одиночного Кристл покрашенный

Видео Качество Объектив сапфира зрения 85% фабрика

Объектив сапфира зрения 85%

Качество GaSb фабрика

GaSb

Качество структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm фабрика

структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm

Качество CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания фабрика

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания

Качество Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения фабрика

Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

Качество Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм фабрика

Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм

Качество 2 " 3" FZ SiO2 однокристаллические IC чипы 100um 200um Сухой влажный окислительный слой 100nm 300nm фабрика

2 " 3" FZ SiO2 однокристаллические IC чипы 100um 200um Сухой влажный окислительный слой 100nm 300nm

4 5 6 7 8 9 10 11