logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
Цитата
Хорошая цена Онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. GaN Epitaxy Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [GaN Epitaxy ]

  совпадение  

124

  ПРОДУКТЫ
Купить Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального Производство в сети

Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая сапфировая подложка C-плоскости SSP для эпитаксии GaN / III-нитридов Производство в сети

4-дюймовая сапфировая подложка C-плоскости SSP для эпитаксии GaN / III-нитридов

Получите самую лучшую цену
Купить материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий Производство в сети

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Получите самую лучшую цену
Купить вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch Производство в сети

вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch

Получите самую лучшую цену
Купить вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF Производство в сети

вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF

Получите самую лучшую цену
Купить 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы Производство в сети

8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

Получите самую лучшую цену
Купить GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций Производство в сети

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюймовые га-н-на-си пластинки галлиевого нитрида пластинки эпи-пластинки 6 дюймовые 8 дюймовые Твердость 9,0 Моха для питания RF LED Производство в сети

4 дюймовые га-н-на-си пластинки галлиевого нитрида пластинки эпи-пластинки 6 дюймовые 8 дюймовые Твердость 9,0 Моха для питания RF LED

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном Производство в сети

Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime Производство в сети

4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime

Получите самую лучшую цену
Купить шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный Производство в сети

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
Купить 8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N Производство в сети

8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N

Получите самую лучшую цену
Купить Undoped вафли M-оси HVPE GAN 10X10mm для semiconducting Производство в сети

Undoped вафли M-оси HVPE GAN 10X10mm для semiconducting

Получите самую лучшую цену
Купить Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия Производство в сети

Свободные стоящие субстраты GaN полупроводника вафли нитрида галлия

Получите самую лучшую цену
Купить Тип вафля n нитрида галлия 4inch Dia100mm свободная стоя HVPE GaN Производство в сети

Тип вафля n нитрида галлия 4inch Dia100mm свободная стоя HVPE GaN

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Хорошая цена Тип вафля n нитрида галлия 4inch Dia100mm свободная стоя HVPE GaN Онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. GaN Epitaxy Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ GaN Epitaxy ]  совпадение 120 ПРОДУКТЫ
Купить Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального Производство в сети

Вафли субстрата диаманта Polytype метода MPCVD для GaN эпитаксиального

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая сапфировая подложка C-плоскости SSP для эпитаксии GaN / III-нитридов Производство в сети

4-дюймовая сапфировая подложка C-плоскости SSP для эпитаксии GaN / III-нитридов

Получите самую лучшую цену
Купить материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий Производство в сети

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Получите самую лучшую цену
Купить вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch Производство в сети

вафли GaN-НА-SiC EPI вафли нитрида галлия 4inch 6inch

Получите самую лучшую цену
Купить вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF Производство в сети

вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF

Получите самую лучшую цену
Купить 8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы Производство в сети

8INCH 12INCH 6INCH GaN-На-Si EPI-WAFERS для применения СИД RF силы

Получите самую лучшую цену
Купить GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций Производство в сети

GaN на диаманте и Dimond на вафле GaN эпитаксиальным HEMT и выпуском облигаций

Получите самую лучшую цену
Купить 4 дюймовые га-н-на-си пластинки галлиевого нитрида пластинки эпи-пластинки 6 дюймовые 8 дюймовые Твердость 9,0 Моха для питания RF LED Производство в сети

4 дюймовые га-н-на-си пластинки галлиевого нитрида пластинки эпи-пластинки 6 дюймовые 8 дюймовые Твердость 9,0 Моха для питания RF LED

Получите самую лучшую цену
Купить Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном Производство в сети

Подгонянный GaN-на-GaN Dia 100mm вафли 4inch субстрата сапфира кремния SiC эпитаксиальном

Получите самую лучшую цену
Купить 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime Производство в сети

4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime

Получите самую лучшую цену
Купить шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный Производство в сети

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс Производство в сети

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8