Субстрат из карбида кремния 4H для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ-оптоэлектроники Обзор продукции Это...4H-SiC субстратпредставляет собой высокочистый однокристаллический карбид кр...Взгляд больше
Сообщения посетителяВЫЙДИТЕ СООБЩЕНИЕ
Пока нет комментариев
4H Карбид кремния (SiC) подложка для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ оптоэлектроники