logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Главная страница Продукция

Субстрат SiC

Все продукты
Вафля нитрида галлия (35)
Вафля сапфира (88)
Субстрат SiC (132)
Сапфир оптически Виндовс (77)
Кремниевая пластина ИК (22)
Синтетический сапфир штанга (13)
Плита плавленного кварца (40)
Части сапфира (114)
Синтетическая драгоценная камень (72)
Оборудование полупроводника (55)
Вафля LiNbO3 (18)
Вафля GaAs (24)
Вафля фосфида индия (34)
керамический субстрат (25)
Оболочка лаборатории (31)
Самые лучшие продукты
Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с твердостью 9,2

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с твердостью 9,2

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремниевого карбида ранга 6инч

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремниевого карбида ранга 6инч

Оставьте нам сообщение
Китай 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов SICOI пластина 4H-SiC на изоляторе 100–150 мм пленка SiC НА кремнии дистрибьютор
4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов SICOI пластина 4H-SiC на изоляторе 100–150 мм пленка SiC НА кремнии

Субстрат SiC

(137)
Китай Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений фабрика

Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений
контакт

Вариант субстрата карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений Описание продукта: Этот продукт не содержит допингов, что делает его идеальным для широкого спектра применений.Мы предлагаем ... Подробнее
2024-05-22 13:44:43
Китай CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания фабрика

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания
контакт

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания Описание продукта SiC Epitaxy Wafers: это однокристаллические пластины карбида кремния с эпитаксиал... Подробнее
2024-05-07 18:17:32
Китай 3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты фабрика

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты
контакт

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты Особенности пластин SIC: Широкополосные полупроводники из карбида кремния используются для управления и переключения ... Подробнее
2024-04-11 14:45:20
Китай 6" высокочистый кремний 4H-Semi SIC фиктивный класс полупроводниковые пластины LED 5G D класс фабрика

6" высокочистый кремний 4H-Semi SIC фиктивный класс полупроводниковые пластины LED 5G D класс
контакт

6 ′′ высокочистый кремний 4H-Semi SIC полупроводниковые пластины 5G LED Описание: полуизолятор 4H-SiC (полуизолятор)4H-SIC) является специальным типом карбида кремния.В кристаллической структуре 4H-полупроводни... Подробнее
2023-11-27 09:48:33
Китай 4" 4H-полувысокочистые SIC пластинки полупроводниковые EPI субстраты фабрика

4" 4H-полувысокочистые SIC пластинки полупроводниковые EPI субстраты
контакт

4H-полувысокочистые вафли SIC, полупроводниковые субстраты EPI первичного класса Описание SIC HP 4H-полу: 1Высокочистые полуизоляционные пластины 4H-SiC (карбид кремния) являются очень идеальными полупроводнико... Подробнее
2023-11-27 09:47:06
Китай Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC фабрика

Подгонянные плиты обломоков размера 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC
контакт

Характер продукции: От перспективы терминального прикладного уровня, материалы кремниевого карбида имеют широкий диапазон применений в высокоскоростном рельсе, автомобильной электронике, умных решетках, фотовол... Подробнее
2023-08-24 22:50:31
Китай Субстрат Sic С 9,7 диэлектрической 4,9 W/mK термальной проводимостью постоянного фабрика

Субстрат Sic С 9,7 диэлектрической 4,9 W/mK термальной проводимостью постоянного
контакт

Характер продукции: Материалы кремниевого карбида имеют широкий диапазон применений в различных полях hi-техника как высокоскоростной рельс, автомобильная электроника, умные решетки, фотовольтайческие инверторы... Подробнее
2023-08-24 22:49:43
Китай субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой фабрика

субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой
контакт

Характер продукции: От перспективы терминального прикладного уровня, материалы кремниевого карбида имеют широкий диапазон применений в высокоскоростном рельсе, автомобильной электронике, умных решетках, фотовол... Подробнее
2023-08-24 22:49:05
Китай лазер sic режа обслуживание для обломоков sic плитами 0.5x0.5mm квадратными фабрика

лазер sic режа обслуживание для обломоков sic плитами 0.5x0.5mm квадратными
контакт

Характер продукции: Материалы кремниевого карбида имеют перспективу в многочисленных участках, например, высокоскоростной рельс, автомобильную электронику, умные решетки, фотовольтайческие инверторы, промышленн... Подробнее
2023-08-24 22:47:56
Китай резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic фабрика

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic
контакт

Характер продукции: От перспективы терминального прикладного уровня, материалы кремниевого карбида имеют широкий диапазон применений в высокоскоростном рельсе, автомобильной электронике, умных решетках, фотовол... Подробнее
2023-08-24 22:46:35
Page 10 of 14|< 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 >|
Субстрат SiC

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Вафля сапфира

Ориентация экстренныйого выпуска Виндовс стекла сапфира вафли полупроводника изготовленная на заказ/сапфира

Сапфировый пластинка Толщина 0,43 мм Сапфировые компоненты

Квадратные вафля сапфира/стекло сапфирового стекла 10кс10мм 5кс5мм для оптически объектива

2°Офф к - сапфир стеклянное Эпи оси синтетический - готовые субстраты диаметр 2 дюймов 50.8мм

Вафля нитрида галлия

Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

Шаблон 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN на вафле AlN-На-сапфира EPI-вафли сапфира

вафля шаблона GaN AlN нитрида галлия 2inch 4Inch на сапфире, субстратах Si

Отправить запрос

E-Mail | Карта сайта

Мобильный сайт
политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Вафля нитрида галлия поставщик. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.