Китай SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Карта сайта



Дом

О США

Направление компании

Путешествие фабрики

Проверка качества

Часто задаваемые вопросы

ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs

решения

Новости

Свяжитесь мы

Покупки

цитата

Дом SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Карта сайта

компания

О США

Свяжитесь мы

Блог

решения

ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

C - Сторона вафли сапфира оси одиночная отполировала 3 объектив дюйма Ал2О3 кристаллический оптически

2 дюйма а - сопротивление радиации вафли сапфира оси для Эпи - подготавливайте тест

толщина 2inch вафель сапфира 100um 170um 200um DSP ультратонкая

Субстраты DSP вафель кварца вафель BF33 сапфира 12 дюймов

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

Сторона двойника вафли сапфира кристаллического стекла диаметра 300мм отполированная для окна

Субстрат SiC

Си-Си семенной вафли 6 дюймов 8 дюймов 4H-N Тип Производственный класс Дублированный класс для роста Си-Си вафли

2-дюймовый Сик Кремниевой карбидный субстрат 3C-N Тип 50.8 мм Диаметр Производственный класс Исследовательский класс Изобретательский класс

Силиконовый карбид семенной пластины типа 4H диа 157±0,5 мм толщина 500±50um монокристаллическая площадь >153 мм

Семенные пластинки SiC толщиной 8 дюймов 600±50um 4H типового производства для роста кристаллов карбида кремния

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Сапфир оптически Виндовс

Двойной сапфир отполированный стороной Виндовс для применений опознавания отпечатка пальцев

Кремниевая пластина ИК

Чернота Полысиликон 8 слитков кремния кремниевой пластины ИК дюйма для процесса полупроводника

Провод увидел машину

Машина для резки многопроводной пилы для обработки природного камня

Машина для резки алмазной проволоки

Диамантовая одно- или многопроводная дротовая пила для обработки полупроводниковых пластин

Синтетический сапфир штанга

Сапфир штанга электронной керамики синтетический с 99,999% материалами Ал2О3

Плита плавленного кварца

Оптически сплавленный материал трубки СиО2 кварца кремнезема кристаллический с подгонянной формой отверстия

Плита плавленного кварца ранга ГС1 синтетическая, плотность ³ окна 2.2г/км кварца оптически

Форма плавленного кварца 120 кс 120мм подгонянная плитой квадратная для электронного света

Части сапфира

Сапфир Субстрат сапфировые пластинки SSP монокристаллический Al2O3 8 дюймов 6 дюймов Dia200 мм

8 дюймовый Al2O3 Sapphire Optical Windows DSP толщина 0,5 мм Ориентация C-ось

Фтор-допированный окись олова FTO проводящее покрытое стекло чистота 99,999% на заказ любого размера 1мм1мм 100мм100мм

TGV Сапфирная вафель Перфорированный стеклянный субстрат через стекло через TGV на заказ

ITO проводящее покрытое стекло субстрат стекло оксида индия и олова для лабораторного использования10x10mmx0.7mm 8 Ом/кв

Микрофлюидное стеклянное подложка с оптически прозрачными пластинами высокоточная обработка BF33 JGS1 JGS2 Сапфир кварцевое стекло

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Магнитно-подвесный центробежный воздушный компрессор 45%-100% постоянного магнита с конверсией частоты

Стекло лазерная прецизионная режущая машина обработка стекла УФ лазерная система CNC

Части для прецизионной обработки с помощью лазерных перфораторов для маленьких столов с микрометрической диафрагмой

Сик кристаллическая печь PVT LPE HT-CVD высококачественный сик однокристаллический метод роста

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

N / П печатает вафлю германия, диаметр 0,5 плит оптики германия | 150мм

Вафли фосфида индия плит Ге материал полупроводника оптически превосходный

Основная/фиктивная толщина 350ум вафли фосфида индия ранга для ЛД

3,58 субстрат Кристл окиси магния вафли субстрата Мго плотности/Мго

керамический субстрат

Электрические свойства керамической вафли субстрата Ал2О3 превосходные для механических уплотнений

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

вафля шаблона GaN AlN нитрида галлия 2inch 4Inch на сапфире, субстратах Si

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Шаблон ГаН растет ориентация таможни обломока субстрата несущей сапфира применения ССП

Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм

Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

Вафля GaAs

N - Напечатайте вафле ГаАс арсенида галлия субстраты одиночного Кристл 2 до 6 дюйма

11 12 13 14 15 16 17 18