Китай SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Карта сайта



Дом

О США

Направление компании

Путешествие фабрики

Проверка качества

Часто задаваемые вопросы

ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs

решения

Новости

Свяжитесь мы

Покупки

цитата

Дом SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Карта сайта

компания

О США

Свяжитесь мы

Блог

решения

ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

вафля BF33 сапфира 6 дюймов для плиты несущей полупроводника GaAs

Ультратонкая плита субстрата сапфира Semicondutor Al2O3 для системы лазера

12inch вафли сапфира диаметра 300mm 1.0mm двойной отполированные стороной

Вафля BF33 сапфира Dia 200mm синтетическая для плиты несущей полупроводника GaAs

8 вафля сапфира дюйма Дя 200мм толщиной 1сп 1.0мм для Эпи - готовой несущей

Проводимость ориентации сапфира обломока СИД подгонянная вафлей высокая термальная

Субстрат SiC

12 дюймовый Сик однокристаллический карбид кремния субстрат большой размер высокая чистота диаметр 300 мм класс продукта для связи 5G

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевой карбидный субстрат 4H 6H 3C Тип поддержки

6-дюймовый 8-дюймовый носитель вафелей полустандартный FOSB POD FOUP RSP 25-детали 1-детали практическое приложение

8-дюймовый Си-Карбидный Кремниевый Вафля 4H-N Тип P/D/R Степень Мох.9 Многочисленные приложения

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Сик Силиконовый карбид вафель 55 мм/1010 мм 4H-P Тип Производственный класс Для электроэлектроники

Сапфир оптически Виндовс

Окно бесцветного сапфира Hexahedron оптически стеклянное

сапфир оптически Windows 8.0mm для оборудования вытравливания полупроводника

Толщина вафель 0.1mm сапфира шестиугольника полигона стеклянная

Коррозионная устойчивость Windows сапфира прямоугольника оптически

Коррозионная устойчивость носки Виндовс сапфира стекла защитного чехла оптически

Квадратный сапфир оптически Виндовс прямоугольника, одиночное кристаллическое стекло для обломока СИД

Кремниевая пластина ИК

Чернота Полысиликон 8 слитков кремния кремниевой пластины ИК дюйма для процесса полупроводника

Провод увидел машину

Машина для резки многопроводной пилы для обработки природного камня

Машина для резки алмазной проволоки

Диамантовая одно- или многопроводная дротовая пила для обработки полупроводниковых пластин

Синтетический сапфир штанга

Сапфир штанга электронной керамики синтетический с 99,999% материалами Ал2О3

Плита плавленного кварца

Плита плавленного кварца ранга ГС1 синтетическая, плотность ³ окна 2.2г/км кварца оптически

Форма плавленного кварца 120 кс 120мм подгонянная плитой квадратная для электронного света

Части сапфира

Специальные 140 мм двойные полированные сапфировые трубы

Сапфировая квадратная плита Однокристаллический Al2O3 5,5×5,5 мм Толщина 6,04 мм

Полированная сапфировая трубка с однокристаллическим оптическим компонентом Al2O3

Подгонянная вафля сапфира размера сырцовая, объектив сапфира для защитного прозрачного стекла телефона

Бесцветный прозрачный сапфир оптически Виндовс, объектив сапфира стеклянный для телефона

Кристаллической форма двойника защитного прозрачного стекла сапфира Ал2О3 отполированная стороной подгонянная

Синтетическая драгоценная камень

Сапфировое стекло рубиновое Al2O3 одиночное Кристл части лазера синтетическое голубое в случай стекла наручных часов

Синтетическое голубое сапфировое стекло рубиновое Al2O3 одиночное Кристл в случай наручных часов

Объектив сапфира твердости 9,0 Al2O3 одиночного Кристл покрашенный

Материал рубина Ал2О3 одиночного Кристл оптически защитного окна синтетический

Вафля сапфира Ти+ Ал2О3, титан стекла сапфирового стекла данный допинг объективом

Проводимость высокого увеличения сырцовая синтетическая рубиновая превосходная термальная для машины лазера

Оборудование полупроводника

Магнитно-подвесный центробежный воздушный компрессор 45%-100% постоянного магнита с конверсией частоты

Стекло лазерная прецизионная режущая машина обработка стекла УФ лазерная система CNC

Части для прецизионной обработки с помощью лазерных перфораторов для маленьких столов с микрометрической диафрагмой

Сик кристаллическая печь PVT LPE HT-CVD высококачественный сик однокристаллический метод роста

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

N / П печатает вафлю германия, диаметр 0,5 плит оптики германия | 150мм

Вафли фосфида индия плит Ге материал полупроводника оптически превосходный

Основная/фиктивная толщина 350ум вафли фосфида индия ранга для ЛД

3,58 субстрат Кристл окиси магния вафли субстрата Мго плотности/Мго

керамический субстрат

Отполированный зеркалом цилиндр сопротивления носки Al2O3 трубки кремниевого карбида керамический

Корозия субстрата/кремниевого карбида изготовленного на заказ размера керамическая керамическая превосходная

6 субстрат дюйма 1.0мм керамический, плита глинозема керамическая для обработки полупроводника

Подгонянный кремниевый карбид размера полируя керамическую очищенность кольца скольжения 98%

Электрические свойства керамической вафли субстрата Ал2О3 превосходные для механических уплотнений

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

вафля шаблона GaN AlN нитрида галлия 2inch 4Inch на сапфире, субстратах Si

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Шаблон ГаН растет ориентация таможни обломока субстрата несущей сапфира применения ССП

Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм

Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

Вафля GaAs

N - Напечатайте вафле ГаАс арсенида галлия субстраты одиночного Кристл 2 до 6 дюйма

9 10 11 12 13 14 15 16