ПРОДУКТЫ

Дом >

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Продукты онлайн

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(76)

Субстрат SiC

(117)

Сапфир оптически Виндовс

(71)

Вафля фосфида индия

(35)

Части сапфира

(69)

защитное прозрачное стекло сапфира

(27)

Синтетическая драгоценная камень

(69)

Оборудование полупроводника

(27)

Вафля LiNbO3

(15)

Вафля GaAs

(25)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(21)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Продукт

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(76)

Субстрат SiC

(117)

Сапфир оптически Виндовс

(71)

Вафля фосфида индия

(35)

Части сапфира

(69)

защитное прозрачное стекло сапфира

(27)

Синтетическая драгоценная камень

(69)

Оборудование полупроводника

(27)

Вафля LiNbO3

(15)

Вафля GaAs

(25)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Плита плавленного кварца

(12)

керамический субстрат

(22)

Оболочка лаборатории

(21)

Кварцевая стеклянная пластина JGS1 JGS2 BF33 8дюймовая 12дюймовая 725 ± 25ум 1000±25ум или на заказ

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену

2-дюймовый Сик Силиконовый карбидный субстрат 6H Низкое сопротивление Высокий П-допированный тип Диаметр 50,8 мм

Получите самую лучшую цену

6H-P Силиконовый карбид Си Си субстрат 6 дюймовый SIC вафель 4H-P Для оптоэлектронных устройств

Получите самую лучшую цену

4H-P Силиконовый карбид Си-Си субстрат 4 дюйма SIC вафель 6H-P для III-V нитридного осаждения

Получите самую лучшую цену

Силиконокарбидная вафель 6H P-типа стандартной производственной категории Dia:145.5 мм ~ 150,0 мм Толщина 350 мм ± 25 мм

Получите самую лучшую цену

Сик Кремниевый карбид Субстрат 5.0*5.0 мм Квадрат 6H-P Тип Толщина 350μm Нулевая степень

Получите самую лучшую цену

Видео

Промышленные сапфировые шпильки Сапфировые подъемные шпильки Dia1.6 1.8 Orcustomize Высокая твердость для радиолокационной системы

Получите самую лучшую цену

4H-N субстрат SiC ранга субстрата SiC нитрида кремния 4 дюймов фиктивный для приборов наивысшей мощности

Получите самую лучшую цену

Видео

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Получите самую лучшую цену

Подгонянный объектив сапфира одиночного Кристл оптически/оптически стеклянное Windows для блока развертки

Получите самую лучшую цену

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Получите самую лучшую цену

13 14 15 16 17 18 19 20