logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
цитата
Хорошая цена онлайн
Результат поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. CVD SIC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Свяжитесь мы
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Свяжитесь сейчас
Твой поиск

  [CVD SIC ]

  совпадение  

67

  ПРОДУКТЫ
Купить 2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC Производство в сети

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD Производство в сети

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC Производство в сети

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм Производство в сети

2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм

Получите самую лучшую цену
Купить тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты Производство в сети

тип ранг 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Получите самую лучшую цену
Купить вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC Производство в сети

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное Производство в сети

Изготовленный на заказ проводной тип вафля SiC для высокотемпературное высоковольтное фотовольтайческого прибора силы солнечное

Получите самую лучшую цену
Купить ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная Производство в сети

ранг фиктивного исследования вафель Sic вафли кремниевого карбида 2inch 4inch 6inch 8Inch основная

Получите самую лучшую цену
Купить подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC Производство в сети

подгонянный тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 4inch 6inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD Производство в сети

Материал полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic для прибора MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого Производство в сети

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

Получите самую лучшую цену
Купить тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента Производство в сети

тип n ранга продукции субстрата кремниевого карбида вафли 8inch DSP 4H SiC для эксперимента

Получите самую лучшую цену
Купить 4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC Производство в сети

4H-N Тип / Полуизолирующие подложки из карбида кремния SiC

Получите самую лучшую цену
Купить Керамическая палитра SiC для процессов эпитаксии светодиодных пластин и гравирования ICP Производство в сети Видео

Керамическая палитра SiC для процессов эпитаксии светодиодных пластин и гравирования ICP

Получите самую лучшую цену
Купить Изготовленная на заказ ступенчатая керамическая пластина из карбида кремния (SiC) для полупроводникового оборудования Производство в сети Видео

Изготовленная на заказ ступенчатая керамическая пластина из карбида кремния (SiC) для полупроводникового оборудования

Получите самую лучшую цену
Купить Высокая точность SIC Кремниевый карбид Керамический Чак Керамический элемент Вакуумный сосок Настройка Производство в сети

Высокая точность SIC Кремниевый карбид Керамический Чак Керамический элемент Вакуумный сосок Настройка

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
Хорошая цена Высокая точность SIC Кремниевый карбид Керамический Чак Керамический элемент Вакуумный сосок Настройка онлайн
результаты поиска
Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso. CVD SIC Онлайн изготовитель
Все категории

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
Твой поиск  [ CVD SIC ]  совпадение 67 ПРОДУКТЫ
Купить Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост Производство в сети

Силиконовый карбид (SiC) высокой чистоты порошок 99,9999% (6N) HPSI Тип 100μm Размер частиц SIC Кристаллический рост

Получите самую лучшую цену
Купить ​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​ Производство в сети

​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​

Получите самую лучшую цену
Купить SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​ Производство в сети

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Получите самую лучшую цену
Купить Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Ноль производственного класса Производство в сети

Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Ноль производственного класса

Получите самую лучшую цену
Купить Специализированный СиС керамический конечный эффект для обработки вафелей Производство в сети

Специализированный СиС керамический конечный эффект для обработки вафелей

Получите самую лучшую цену
Купить Си-Си фиктивный пластинка для стабилизации полупроводниковых процессов и оборудования кондиционирования Производство в сети

Си-Си фиктивный пластинка для стабилизации полупроводниковых процессов и оборудования кондиционирования

Получите самую лучшую цену
Купить Специализированный SiC керамический лодочный носитель для обработки вафелей Производство в сети

Специализированный SiC керамический лодочный носитель для обработки вафелей

Получите самую лучшую цену
Купить 330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC Производство в сети

330um тип ранг Dia50.8mm 2inch толщины 4H-N продукции субстрата SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC Производство в сети

2inch ранг одиночное Кристл исследования субстрата Dia 50.8mm 4H-Semi SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD Производство в сети

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

Получите самую лучшую цену
Купить Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC Производство в сети

Тип 4H-N Полу-изолируя вафли кремниевого карбида субстратов 2inch 3inch 4inch SiC

Получите самую лучшую цену
Купить 2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм Производство в сети

2 дюйма SIC Кремниевого карбида вафель 4H-N Тип для устройства MOS Диа 0.4 мм

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6