Медная тепловая раковина Подложка с плоским дном, высокопроизводительное электронное устройство Cu≥99.9%

Медная тепловая раковина Подложка с плоским дном, высокопроизводительное электронное устройство Cu≥99.9%

В качестве арсенида индия 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов однокристаллический субстрат N/P Тип полупроводников Толщина пластинки 300-800um

Германный субстрат ГЭ Плоские окна Оптические линзы Приложения для термоизоляции и инфракрасной спектроскопии Высокая твердость

Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPV

Оксид магния чистота 95% MgO пленка субстрат 5x5 10x10 20x20 Толщина 0,5 мм 1,0 мм ориентация <001> <110> <111>

Вафля фосфида индия

(34)

Вафли фосфида индия плит Ге материал полупроводника оптически превосходный
контакт

Вафли одиночных кристаллов германия, плиты Ге оптически Субстраты германия Применение: вафля германия использованная при изготовлении полупроводникового устройства, оптического прибора ультракрасного луча, тону... Подробнее

2019-07-10 17:43:54

Основная/фиктивная толщина 350ум вафли фосфида индия ранга для ЛД
контакт

2инч Н типа П типа вафля субстратов ИнП фосфида индия ранга основной ранга толщины 350ум фиктивная кристаллическая для ЛД Материал одиночного кристалла фосфида индия одна из большинств важной смеси полупроводни... Подробнее

2019-07-10 17:43:54

3,58 субстрат Кристл окиси магния вафли субстрата Мго плотности/Мго
контакт

Субстраты МгО, вафля МгО 10С10мм, вафля полупроводника, субстрат (MgO) окиси магния кристаллический, ВАФЛЯ 5кс5мм МгО поставщика кристаллов Характер продукции:Окись магния (MgO) превосходна для монокрысталлине ... Подробнее

2019-07-10 17:43:54

Черная вафля фосфида индия, вафля полупроводника для применения ЛД
контакт

субстраты для применения ЛД, вафля ИнП 2инч 3инч 4инч полупроводника, вафля ИнП, одиночная кристаллическая вафля ИнП вводит Кристалл ИнП одиночный Рост тКЗ (доработанный метод Кзокральски) использован для того ... Подробнее

2019-07-10 17:43:54

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|